型号:

BCX56-16

品牌:FUXINSEMI(富芯森美)
封装:SOT-89-3
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BCX56-16 产品实物图片
BCX56-16 一小时发货
描述:三极管(BJT) 500mW 80V 1A NPN
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.272
200+
0.175
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE)250@150mA,2V
特征频率(fT)130MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@0.5A,50mA
工作温度-25℃~+125℃
射基极击穿电压(Vebo)5V

BCX56-16 产品概述

一、概述

BCX56-16 是一款由 FUXINSEMI(富芯森美)推出的通用 NPN 三极管,采用 SOT-89-3 封装,面向中低功率开关与放大应用。器件在保持较高增益与宽频带特性的同时,体积小、便于贴片装配,适合便携及空间受限的电路板设计。

二、主要参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流(Ic):1A(峰值或脉冲条件下使用需参考 SOA)
  • 集—射击穿电压(Vceo):80V
  • 功耗耗散(Pd):500mW(SOT-89-3 封装,需良好散热)
  • 直流电流增益(hFE):250(测试条件 Ic=150mA,VCE=2V)
  • 特征频率(fT):130MHz
  • 集电极截止电流(Icbo):100nA(典型)
  • 集—射饱和电压(VCE(sat)):约500mV(测试条件 IC=0.5A,IB=50mA)
  • 射极—基极击穿电压(Vebo):5V
  • 工作温度范围:-25℃ ~ +125℃

三、特点与优势

  • 高电压耐受:80V 的 Vceo 使其可胜任多数汽车及工业类中等电压场合的信号放大与开关。
  • 高增益:在中等电流工作点(Ic=150mA)下 hFE 可达 250,适合用作小信号放大器或驱动级。
  • 宽频率响应:fT≈130MHz,支持较高频率的小信号放大与增益配置。
  • 小型贴片封装:SOT-89-3 便于表面贴装,适合自动化装配和体积受限设计。

四、典型应用

  • 低功耗信号放大(前级放大、驱动级)
  • 通用开关(逻辑电平驱动、继电器/小型负载驱动)
  • 汽车电子与工业控制中的低至中等电压电路
  • 高频率或宽带小信号处理电路

五、热管理与使用注意

  • Pd=500mW 表明在持续高功耗条件下必须做好 PCB 热设计:建议扩展散热铜箔、采用热 vias 或将器件靠近散热面布置以降低结温。
  • 虽然 Ic 标称可达 1A,但在高 VCE 或连续工作时受限于封装散热与 SOA,避免长时间在高电流高压下工作。
  • Vbe/ Vebo 限制(Vebo=5V)提示在基极至射极间要控制反向电压,防止基极击穿。
  • 为避免受温度影响造成 Icbo 增大,应在高温环境下考虑偏置稳定性与泄漏电流对电路的影响。

六、封装与储存

  • 封装:SOT-89-3,适合表面贴装自动化生产。装板时注意焊盘与热铜箔布局以优化散热。
  • 储存与处理:按通用半导体防潮与防静电规范操作。推荐在规定的干燥箱内储存及回流焊前进行必要的预烘烤处理。

总结:BCX56-16 在 SOT-89-3 小封装下提供了良好的电压耐受、高增益与较宽的频率特性,适用于中低功率放大与开关场合。设计时应重点关注热管理与工作点选择,以发挥器件的最佳性能。若需精确的电气典型曲线与 SOA 限制,请参照完整的器件数据手册。