型号:

BAS21C

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BAS21C 产品实物图片
BAS21C 一小时发货
描述:开关二极管 1对共阴极 1.25V@200mA 250V 200mA
库存数量
库存:
2776
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.08748
3000+
0.069444
产品参数
属性参数值
二极管配置1对共阴极
正向压降(Vf)1.25V@200mA
直流反向耐压(Vr)250V
整流电流200mA
耗散功率(Pd)225mW
反向电流(Ir)100nA@200V
反向恢复时间(Trr)50ns
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)2.5A

BAS21C 产品概述

一、产品简介

BAS21C 是一款由 CJ(江苏长电/长晶)提供的高压开关二极管对,采用 SOT-23 小外形封装,内部为一对共阴极(二个阳极共用一个阴极)。器件面向高压开关与整流应用,具有较高的反向耐压(250V)、较低的反向漏电流(100nA@200V)和快速恢复时间(Trr≈50ns),适合在高压、快速开关场合作为整流、钳位或方向控制元件使用。

二、主要电气参数(典型/额定)

  • 二极管构型:1对共阴极(common cathode),SOT-23 封装
  • 正向压降:Vf ≈ 1.25V @ If = 200mA
  • 直流反向耐压:Vr = 250V
  • 直流整流电流(连续):If = 200mA(器件数据表标称)
  • 耗散功率:Pd = 225mW(封装限制)
  • 反向电流:Ir = 100nA @ Vr = 200V
  • 反向恢复时间:Trr ≈ 50ns(快速恢复)
  • 非重复峰值浪涌电流:Ifsm = 2.5A(短时脉冲条件)
  • 封装:SOT-23(表面贴装)

注:实际应用时应以 CJ 提供的最新数据手册为准,尤其是管脚定义与热阻等机械/热参数。

三、特性与优势

  • 高压耐受:250V 的反向耐压使器件可以直接应用于较高工作电压的信号或供电回路,减少对更大封装高压器件的需求。
  • 低漏电:在高压条件下仍能保持极低的反向漏电(100nA 等级),适合对漏电敏感的高阻输入或电池/计量类电路。
  • 快速开关:50ns 左右的反向恢复时间,适合中等频率的开关整流与快速脉冲应用。
  • 紧凑封装:SOT-23 小封装利于高密度 PCB 布局和自动贴装。

四、典型应用场景

  • 开关电源与高压整流(小功率部分的脉冲整流/钳位)
  • 信号钳位、反向保护、输入端方向选择(ORing)
  • 高压脉冲电路、门极驱动回路的缓冲与钳位
  • 通信与测试设备中的高速切换/整流
  • 仪器仪表的高压接口保护与漏电控制

五、设计与选型注意事项

  1. 功耗与结温管理:器件额定耗散功率 Pd = 225mW,计算瞬时功耗时应使用 P = Vf × If。以给定 Vf=1.25V、If=200mA 的条件计算得到 P ≈ 250mW,已超过 Pd 标称值——表明在没有额外散热(如大面积铜箔或热过渡设计)的情况下不宜长期以 200mA 串联流过。建议在连续高电流场合采取降额设计或在 PCB 上增强散热。
  2. 电流脉冲与峰值:Ifsm = 2.5A 为非重复峰值浪涌能力,仅限短脉冲(datasheet 指定条件),不能视为连续允许电流。
  3. 反向电压裕量:工作电压应比 Vr(250V)有足够裕量,同时考虑浪涌与瞬态(建议在高压环境下配合 TVS/RC 抑制器)。
  4. 反向恢复对开关损耗影响:50ns 的 Trr 对于中高频开关仍然会产生开关损耗,若用于高频高速整流或硬开关场合需评估由恢复电流导致的额外损耗与 EMI。
  5. 管脚与封装确认:SOT-23 管脚定义在不同厂家的封装标识可能有差异,使用前务必参照 CJ 的封装与引脚图确认哪一脚为共阴极(或阳极)以免接错。
  6. ESD 与焊接:作为小信号器件,装配与测试阶段注意静电防护;焊接请按照 SOT-23 通用回流焊曲线与厂家推荐温度曲线处理。

六、典型电路示例与布局建议

  • 典型用法一:两个阳极分别接两个输入,阴极并联到负载/地,实现输入方向选择或分立钳位。
  • 典型用法二:作为高压快速整流,输入端串联限流电阻或与开关晶体管配合,避免承受超额稳态功耗。
  • PCB 布局:在 SOT-23 的焊盘周围留足铜箔面积以改善散热;关键信号走线尽量缩短,减少回路电感以降低开关尖峰与 EMI。

七、可靠性与合规

  • 建议使用符合 RoHS/无铅工艺的 CJ 版本产品(查阅具体订货信息)。
  • 在高温或高电压长期应用场合,需考虑热循环、潮湿应力与长期漏电增大的风险,必要时进行加速寿命验证或选择更高功率/更高热容封装的替代器件。

总结:BAS21C(CJ)在高压、低漏电和中等速度开关场合表现良好,但由于 SOT-23 封装的热限制,在选择工作电流和长期运行条件时须进行功耗与散热评估。正确的 PCB 散热设计、合适的电流降额和对瞬态保护的配合,是确保长期可靠运行的关键。