MMBT5550 产品概述

一、产品概述

MMBT5550 是一款高压通用 NPN 小信号晶体管，由 CJ（江苏长电/长晶）推出，采用 SOT-23 封装。器件具有高集电极-发射极击穿电压（Vceo = 140V）与较小体积，适合需承受较高电压的开关与放大场合。典型单颗装量：1个 NPN。

二、主要参数

• 晶体管类型：NPN
• 最大集电极电流 Ic：600 mA
• 集-射击穿电压 Vceo：140 V
• 耗散功率 Pd：225 mW（封装限制，按电路板散热条件评估）
• 直流电流增益 hFE：约 60（测试条件：Ic = 10 mA，Vce = 5 V）
• 集电极截止电流 Icbo：100 nA（典型低漏电）
• 集电极饱和电压 VCE(sat)：约 250 mV（测试条件常见表示为 Ic = 50 mA，Ib = 5 mA）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 射基极击穿电压 Vebo：6 V

三、关键特性与优势

• 高耐压：Vceo=140V 能够应对高压开关与缓冲场合，适合汽车电子、工业供电等系统。
• 低漏电：Icbo 约 100 nA，有利于低功耗电路的静态性能。
• 可靠的开关性能：低 VCE(sat) 在中小电流开关时可降低功耗与发热。
• 紧凑封装：SOT-23 适合表面贴装与大规模 PCB 布局。

四、典型应用

• 高压开关与驱动电路（继电器驱动、MOSFET 驱动前级）
• 线性放大器与信号放大（中低频小信号）
• 汽车电子（非直接安全关键的高压侧控制）
• 电源管理与保护电路（欠压/过流检测、放电路径）

五、封装与引脚

封装：SOT-23 (SOT-23-3)。常见引脚排列（封装面朝上、引脚朝下查看）：1—B，2—C，3—E。具体脚位请以器件出厂数据手册为准。

六、选型与使用建议

• 注意功耗与散热：Pd=225 mW 为封装极限值，实际电路中需按环境温度与 PCB 散热面积计算结温，必要时采用铜箔散热或并联分流。
• 基极反向保护：Vebo = 6 V，避免基极-射极承受反向高压。
• 驱动匹配：在需要50 mA 级开关时，保证基极驱动电流与限流电阻正确匹配以达到所需 VCE(sat)。
• 验证增益：hFE 在不同 Ic、电压与温度下有变化，模拟或测量确认放大倍数满足设计要求。

七、结论与采购

MMBT5550 为一颗兼顾高压与小体积的通用 NPN 晶体管，适用于需要承受较高 Vce 的小信号开关与放大场景。采购时请选择有质量保证的供应商，并参考 CJ 提供的完整数据手册与元件可靠性资料，以确保在目标应用环境中的长期稳定性。