1SS398 (TE85L,F) — 产品概述

一、产品简介

1SS398（厂商标识 TE85L,F）是东芝（TOSHIBA）推出的一款高压肖特基整流二极管，封装为 TO-236-3（SOT-23-3）。该器件面向要求高反向耐压、低漏电和小型封装的应用场景，适用于高压低电流整流、阻断与浪涌保护等场合。典型电气参数包括：直流正向压降 Vf = 1.3V（@ IF = 100mA）、直流正向整流电流 IF = 100mA、非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 2A、最大反向耐压 Vr = 400V、反向电流 Ir = 100nA（@ Vr = 400V）。

二、主要性能亮点

• 高反向耐压：400V 的反向耐压使其可直接用于较高电压的整流与阻断场景，避免低压器件在高压轨使用时发生击穿。
• 低反向漏电：在最大反向电压下 Ir 仅 100nA（典型测试条件），在静态阻断状态下的功耗小，适合待机和高阻断要求的电路。
• 小封装、高密度：SOT-23-3 封装便于用于面积受限的电路板，实现体积与成本的优化。
• 良好瞬态能力：2A 的非重复峰值浪涌电流可吸收短时开机、电容放电等导致的浪涌能量，但不适合作为长期大电流保护。

三、典型电气参数（基于提供数据）

• 正向压降 (Vf)：1.3V @ IF = 100mA
• 直流整流电流：IF = 100mA（连续）
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：2A
• 直流反向耐压 (Vr)：400V
• 反向电流 (Ir)：100nA @ Vr = 400V

注：具体温度系数、动态特性（如反向恢复）、结温与封装热阻等，请参考原厂完整规格书以用于精确热设计与仿真。

四、典型应用场景

• 开关电源初级高压整流或阻断，特别是需要小封装且电流较低的线路。
• 待机电源（standby）或启动电路中的高压阻断与吸收。
• 高频整流电路或快速阻断场合（肖特基二极管反向恢复快，适合高频）。
• 高压信号路径的反向保护、极性保护电路。
• 浪涌抑制与瞬态钳位（在额定 Ifsm 范围内短时有效）。

五、使用与设计建议

• 电流与功耗：器件额定直流整流电流仅 100mA，连续使用时需考虑 Vf 对应的功耗（P = Vf × IF）和结温上升；对于长期工作负载，应在安全裕量下选型或并联/更换更高电流规格器件。
• 热管理：SOT-23 属于小型封装，热阻较大，应通过增加铜箔面积、热沉过孔（如果板层允许）来改善散热；在热设计时使用厂方提供的 RθJA/RθJC 数据做仿真与计算。
• 漏电与温度：反向漏电随温度上升而显著增加，在高温工况下需评估 Ir 在实际 Vr 下对系统静态功耗的影响。
• 浪涌保护：Ifsm = 2A 为非重复峰值，适用于短时浪涌；若存在反复或更大幅度的冲击，需采用外加限流、电流熔断或选用更高浪涌能力的器件。
• PCB 布局：保持二极管与相关电感、电容之间的走线尽量短以降低寄生电感；正负极走铜厚、扩大焊盘以帮助导热；注意极性标识与防呆设计。
• 焊接与可靠性：遵循 SOT-23 的回流焊工艺规范，避免超出推荐温度曲线；长期存储与贴片前注意防潮处理，遵循厂方的 MSL（如有）说明。

六、选型注意事项与替代

在选择 1SS398 时，确认工作电压、平均与峰值电流以及允许的结温范围是否满足系统需求。若需要更低的正向压降或更高连续电流，应考虑更大封装或不同系列的肖特基器件；若需要更高的浪涌能力或低温下更小的 Vf，也可对比其他厂商同类高压肖特基产品。

七、结论

1SS398 是一款面向高压、低电流应用的肖特基整流二极管，凭借 400V 的耐压和极低的静态漏电表现，适合体积受限且需高压阻断的电路设计。设计时需要特别关注其小封装带来的散热限制与电流能力上限，结合恰当的 PCB 布局与热管理措施，能够在开关电源、保护电路及高压整流场景中发挥良好作用。若需更详细的温度相关特性、封装机械图与波峰/回流焊工艺参数，请参考东芝官方规格书。