1SS272 (TE85L,F) — 产品概述

一、概述与定位

1SS272 (TE85L,F) 是东芝（TOSHIBA）面向小信号高速开关与精密整流场景推出的开关二极管器件。器件采用 SC-61B 小外形封装，内部为“2对串联式”结构，适合空间受限、对开关速度和反向漏电要求较高的便携与消费电子产品。其主要电气参数（在典型测试条件下）包括：正向压降 Vf = 0.920 V @ 100 mA、直流反向耐压 Vr = 80 V、整流电流 100 mA、耗散功率 Pd = 150 mW、反向电流 Ir = 500 nA @ 80 V、反向恢复时间 Trr = 1.6 ns、非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 2 A。

二、主要性能特点

• 低正向压降：Vf≈0.92 V（100 mA），在小信号整流与开关路径中能减少压降带来的功耗与热量积聚。
• 高耐压能力：Vr = 80 V，可应对中低压电源与脉冲环境下的反向电压应力。
• 极低漏电流：Ir = 500 nA（80 V），适合高阻抗检测、峰值保持或采样电路中对漏电敏感的场合。
• 极快恢复时间：Trr = 1.6 ns，适合高频开关、混频、检波等要求快速切换的应用。
• 紧凑封装：SC-61B（相当于 SOD-323 规格），适合高密度 PCB 布局和便携设备。
• 瞬态耐受：Ifsm = 2 A（非重复峰值浪涌），能承受短时冲击电流，但需要按脉冲宽度和频率谨慎设计。

三、典型应用场景

• 高速开关与逻辑接口：用于快速开关切换、门控电路的保护与方向控制。
• 小信号整流与检波：无线收发、射频检波和音频检波电路中的二极管检测元件。
• 夹位与钳位电路：保护后续模拟/数模电路免受瞬态过压。
• 峰值保持与采样保持输入保护：得益于低漏电和低正向压降，适合低频精密测量前端。
• 便携式电源与充电控制中对高频开关与浪涌处理的场合。

四、封装与热管理

器件采用 SC-61B 小体积封装，体积小、适合贴片工艺，但热阻相对较高，耗散功率 Pd = 150 mW 为整片器件（封装）允许的最大耗散。因该型号内部为“2对串联式”配置时需注意功耗分布：若电流经过两只串联二极管，则总正向压降为约 2 × 0.92 V = 1.84 V，对应在 100 mA 下的总功耗约 184 mW，已超过 Pd（150 mW），长时间工作会超出封装散热能力。推荐采取下列做法：

• 评估电流路径：若可能，避免长时间让整个串联对承受额定整流电流；
• 限制连续通过电流：在两只串联的路径上，为满足 Pd 限制，连续电流应 ≤ Pd / (2·Vf) ≈ 150 mW / 1.84 V ≈ 81.5 mA；
• 使用合适铜箔散热：在 PCB 布局时为器件两侧增加铜箔面积或散热过孔以改善热耗散；
• 对于短脉冲工作，可根据脉冲宽度和周期评估平均功耗与热时常数。

五、使用注意事项与选型建议

• 如果电路要求持续 100 mA 的整流且器件内部为两只串联二极管，请特别注意平均耗散功率限制（见上节计算）；若必须长期 100 mA，建议选择额定 Pd 更大的封装或单个二极管路径。
• 关注反向恢复特性：Trr = 1.6 ns 非常短，适合高频切换；在高速场合仍需配合合适的阻抗匹配和阻尼以避免振铃。
• 冲击电流（Ifsm）为非重复峰值，允许短时间浪涌，但不得作为长期工作电流使用；必要时在输入端加入限流或软启动。
• PCB 布局上，靠近二极管处保留足够的焊盘铜面积并避免热阻突变；小型封装在回流焊时按照标准 SMD 工艺进行，不要超出推荐回流曲线（参考封装供应商建议）。

六、典型电路与计算示例

• 功耗计算（单只通路假定）：P = Vf × I。若单只二极管通路且 I = 100 mA，则 P ≈ 0.92 V × 0.1 A = 92 mW < Pd（150 mW），可接受。
• 串联两只二极管通路：P_total = 2 × Vf × I。若 I = 100 mA，则 P_total ≈ 184 mW > Pd，应避免长时间如此工作；若需保证 Pd 上限，应将 I 控制在约 80 mA 以下。

七、结论

1SS272 (TE85L,F) 集低正向压降、低漏电、高耐压与极短反向恢复时间于小体积封装，适合高频开关、小信号整流及受限空间下的电子设计。设计时需注意封装耗散功率限制与内部串联结构对持续电流能力的影响，通过合理的 PCB 散热布局与电流限制措施，可在便携与消费电子产品中发挥其优良的高速与低漏电特性。若有更严格的热、脉冲或频率要求，建议参考完整的东芝器件规格书并与替代封装或更高额定器件进行比较选型。