CJAC110SN10L 产品概述

一、产品简介

CJAC110SN10L 是江苏长电（CJ）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，额定漏源电压100V、连续漏极电流110A，针对高电流、低导通损耗的开关应用优化。典型导通电阻低至4.3mΩ@VGS=10V（也提供6mΩ@VGS=4.5V@20A参考），兼顾低导通损耗与快速开关特性，适合中高压电源与功率转换场景。

二、主要参数

• 品牌：CJ（江苏长电/长晶）
• 型号：CJAC110SN10L
• 类型：N沟道MOSFET
• Vdss：100V
• 连续Id：110A
• RDS(on)：6mΩ @ VGS=4.5V, 20A；4.3mΩ @ VGS=10V
• VGS(th)：1.5V
• Qg（总栅极电荷）：156nC @15V
• Ciss：3.366nF @50V；Crss：11pF @50V
• 功耗Pd：130W
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃
• 封装：PDFNWB-8L (5×6)

三、关键特性

• 低RDS(on)：在较高VGS下表现优秀，适合需低导通损耗的高电流路径。
• 大电流承载能力：110A 连续电流支持高功率应用。
• 较高的Pd与宽工作温度范围，有利于可靠性与热裕度。
• 较高的栅极电荷与较大输入电容，开关转换时需合适驱动与软开关策略以控制损耗与电磁干扰。

四、典型应用

• 48V/12V DC-DC 降压转换器与同步整流器
• 服务器与电信电源前端开关
• 逆变器、驱动器与高性能电流开关
• 工业电源、充电设备与其他中高压高电流场合

五、设计与使用建议

• 栅极驱动：由于Qg=156nC（@15V）较大，需选用能提供较高瞬时电流的驱动器，并根据开关速度用合适的串联栅阻（Rg）以平衡开关损耗与电磁干扰。
• 开关损耗与散热：计算开关损耗时应同时考虑Ciss对开关能耗的影响。Pd=130W 为封装极限，实际使用中需按环境温度和散热条件进行热降额。
• PCB布局：尽量缩短漏—源回流路径与栅极回路，增厚散热铜箔并在器件下方/周围布置热盲孔或多层过孔以提高散热。建议使用源端短回流和独立地线以降低寄生电感。
• 保护措施：在高dV/dt与高电流切换环境下，结合缓冲电路、TVS与合理的栅驱限制以防止过压/过流与振荡。

六、封装与散热要点

PDFNWB-8L (5×6) 提供较好的导热路径及片上铜焊盘，配合多层PCB热通道能有效降低结温。推荐在器件底部及周边设计充分的散热铜域，并配合多孔通孔连接至内层/底层散热层。

七、可靠性与环境

器件工作温度范围宽（-55℃~+150℃），适应工业级环境。设计时应关注结温峰值、热循环与长期热老化对RDS(on)与开关特性的影响，必要时进行热仿真与实测验证。

总结：CJAC110SN10L 在100V平台上以低导通电阻与大电流能力为核心，适合需兼顾低损耗与高功率密度的电源与开关应用，但需在栅极驱动与散热设计上给予足够重视以发挥最佳性能。