SRK7002LT1G 产品概述

一、产品简介

SRK7002LT1G 是 LRC（乐山无线电）出品的一款小功率 N 沟场效应管（MOSFET），采用 SOT-23 封装，适合空间受限、开关频率低、功耗要求不高的便携和消费电子应用。器件耐压 60V，最大耗散功率 225mW，设计用于小电流开关和级联保护电路。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（单颗）
• 漏源电压 Vdss：60V
• 连续漏极电流 Id：115mA
• 导通电阻 RDS(on)：7.5Ω @ Vgs=10V, Id=0.5A
• 阈值电压 Vgs(th)：2.5V @ Ig=250µA
• 输出电容 Coss：25pF，输入电容 Ciss：50pF，反向传输电容 Crss：5pF
• 工作温度范围：-40℃～+150℃
• 功率耗散 Pd：225mW
• 封装：SOT-23

三、性能亮点

• 低至几十皮法级的输入/输出电容（Ciss 50pF、Coss 25pF、Crss 5pF），适合高频驱动时减小开关损耗和寄生影响。
• 60V 的耐压能力使其能在较高电压边缘电源、保护电路中承担隔离或限流职责。
• SOT-23 小封装利于板上密集布置，适合便携设备与小型模块化设计。

四、典型应用

• 反向保护开关、负载断开控制与电源选择电路（例如充电管理、备用电源切换）。
• 低电流开关与驱动（传感器供电切换、信号隔离）。
• 小功率线性或开关稳压器的保护元件与电平移位电路。

五、使用建议与注意事项

• 由于 RDS(on) 在 10V 驱动下仍较高（7.5Ω），不建议在大电流场合作为主功率开关使用；适合低电流或作为信号/保护元件。
• 在印制板布局时，尽量缩短漏极与源极之间的走线，确保良好散热路径以利用 225mW 的耗散能力。
• 驱动电压应满足阈值与导通需求（若仅有逻辑电平驱动，需验证在 Vgs≈3.3V 或更低电压下的导通情况是否满足负载要求）。
• 工作环境温度接近上限时，应注意热降额，避免长期在高温下频繁切换。

六、封装与可靠性

SOT-23 小尺寸封装适合表面贴装自动化生产，焊接与回流工艺兼容。器件在-40℃至+150℃之间的工作温度范围保证了多种环境下的可靠性，但在高温或散热受限场景需采取降额设计。

总结：SRK7002LT1G 以其 60V 耐压、低容性和小封装特性，适合低电流开关、保护与信号控制场景，是空间受限且电流需求不高电路的实用选择。