TDK C1608X5R1E225KTJ00N 产品概述

一、产品简介

TDK C1608X5R1E225KTJ00N 为 0603（1608公制）贴片多层陶瓷电容（MLCC），标称电容值 2.2 µF，初始容差 ±10%，额定电压 25 V，介质为 X5R。该型号面向一般工艺电子设备中对中等电容量、体积受限且需良好温度稳定性的去耦、旁路与储能场合，兼顾体积与电性能的平衡。

二、主要规格一览

• 型号：C1608X5R1E225KTJ00N
• 封装：0603（1608公制）
• 容值：2.2 µF
• 容差：±10%（常温标称值）
• 额定电压：25 V DC
• 介质：X5R（按 IEC 定义适用于 -55°C 至 +85°C）
• 品牌：TDK

三、性能特点

• 高容值/小封装：在 0603 封装中实现 2.2 µF，适合空间受限的移动终端与模块化电源板。
• 良好温度稳定性：X5R 介质在 -55°C～+85°C 范围内保持较好的电容稳定性，适用于一般工业与消费类环境。
• 低等效串联阻抗（ESR）与低等效串联电感（ESL）：适合高频去耦与稳压器输出滤波，快速响应瞬态电流需求。
• 焊接可靠：适配工业回流焊工艺，适合批量贴装生产。

四、典型应用场景

• DC-DC 转换器输出侧与输入侧去耦/储能
• MCU、电源芯片和模拟电路的旁路与瞬态抑制
• 移动设备、通讯设备、工业控制模块的去耦与滤波
• 电源平滑与射频前端非关键耦合（需注意直流偏置影响）

五、设计与选型建议

• 直流偏置效应：高介电常数陶瓷在施加直流电压时电容会下降，实际电容值可能低于室温标称值。设计时应查阅厂商 DC-bias 曲线并在目标工作电压下验证是否满足需求。
• 温度与频率特性：X5R 对温度有一定依赖性，若电路对精密容值有严格要求，应选择温度系数更好的介质（如 C0G/NPO）。
• 去耦布局：尽量将电容靠近电源引脚放置，缩短信号走线与电感路径，以发挥低 ESL 的优势。对于大电流或低频滤波，建议并联多个不同容值与封装的电容以覆盖宽频带性能。

六、贴装与使用注意事项

• 推荐按 TDK 与行业标准的回流焊温度曲线进行焊接，避免超过厂商建议的峰值温度或过长的高温暴露。
• 避免 PCB 在焊接或机械应力下发生弯曲，应远离板边和过深通孔以减少破裂风险。
• 如长期存储或在高湿环境下使用，按厂商建议处理与清洗，必要时进行预烘烤以去除吸湿（参照具体产品数据表）。
• 对于需长期可靠运行或高应力环境，应在设计阶段考虑适当电压余量或冗余以提升可靠性。

七、替代与补充

在需要相同性能或供货备选时，可在同规格封装与介质类别下比较其它厂商（如 Murata、Samsung 等）的同容值与额定电压产品，并关注各自的 DC-bias、ESR/ESL 曲线及可靠性数据，以选取最合适的替代件。

总结：TDK C1608X5R1E225KTJ00N 在体积受限的电子设计中提供了较大的电容密度与良好的温度性能，是通用去耦与滤波应用的常用选择，但在实际应用中需关注直流偏置与布局工艺，以确保最终电路性能满足设计目标。