型号:

CGA3E2X7R1H102KT0Y0N

品牌:TDK
封装:0603
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
CGA3E2X7R1H102KT0Y0N 产品实物图片
CGA3E2X7R1H102KT0Y0N 一小时发货
描述:贴片电容(MLCC) 50V ±10% 1nF X7R
库存数量
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29315
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0241
4000+
0.0191
产品参数
属性参数值
容值1nF
精度±10%
额定电压50V
温度系数X7R

TDK CGA3E2X7R1H102KT0Y0N 产品概述

一、产品概述

TDK 型号 CGA3E2X7R1H102KT0Y0N 为贴片多层陶瓷电容(MLCC),标称电容值 1 nF,公差 ±10%,额定电压 50 V,介质为 X7R,封装为 0603(公制 1608)。此类器件兼顾体积小、可靠性高与成产率,适合在有限空间内实现旁路、耦合与去耦功能。

二、主要特点

  • 容值/公差:1 nF ±10%,满足一般模拟与数字电路的滤波与耦合需求。
  • 额定电压:50 V,适用于中低压直流与信号链路。
  • 介质 X7R:温度范围宽(-55°C 至 +125°C),在此范围内容值变化受控(典型 ±15%)。
  • 封装 0603:小型表贴,利于高密度布板。
  • 陶瓷结构:等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)较低,自谐频率较高,适合高频去耦。

三、电气与温度特性

X7R 属介质型陶瓷,保证在 -55°C 至 +125°C 范围内容值变化不超过 ±15%。需要注意的是,陶瓷电容在施加直流偏压时会出现直流偏压效应(DC bias),尤其在小体积与高电压下更明显——实际有效容值可能下降,设计时应予以留余量。对于射频或精密滤波电路,建议参考厂方数据手册中的偏压与频率响应曲线进行选型。

四、典型应用

  • 电源去耦与旁路(MCU、ASIC、电源模块)
  • 信号耦合/交流耦合电路
  • 高频滤波与阻抗匹配的补偿网络
  • 汽车电子、通信设备、消费电子等对体积与可靠性有要求的场合(需验证温度/振动等级)

五、封装与焊接建议

  • PCB 焊盘设计应参考 TDK 推荐的 0603 焊盘尺寸与阻焊开窗,保证良好焊膏焊接与焊点强度。
  • 遵循无铅回流温度曲线,避免超温或过长预热时间。
  • 贴装过程中应尽量减少器件承受的机械弯曲或剪切应力,避免因板弯或挤压引起裂纹。
  • 回流后建议进行外观与 X-ray 检查,关键应用建议做焊接可靠性测试。

六、可靠性与使用注意

  • MLCC 对机械应力敏感,焊接与维修时应注意避免在器件上直接施压。
  • 在高电压偏置或要求精确容值的场合,需考虑 DC bias 与温漂影响,必要时选择更大容量或不同介质以保证裕量。
  • 长期工作于高温或潮湿环境时,建议参照 TDK 的加速老化与可靠性数据进行评估。
  • 储存建议使用防潮包装(干燥剂与密封盘),开包后应按 IPC 要求在规定时间内完成贴装回流。

七、订购与资料查询建议

下单时请使用完整料号 CGA3E2X7R1H102KT0Y0N,并向供应商或 TDK 官方索取最新数据手册与封装推荐图。数据手册中包含详细的频率响应、DC bias 曲线、回流焊工艺建议与可靠性试验结果,对设计验证与量产导入非常重要。