型号:

TL331QDBVRQ1

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOT-23-5
批次:23+
包装:-
重量:0.033g
其他:
-
TL331QDBVRQ1 产品实物图片
TL331QDBVRQ1 一小时发货
描述:比较器 开集 5mV 1V~18V;2V~36V 250nA
库存数量
库存:
2901
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.912
1000+
0.84
产品参数
属性参数值
比较器数单路
输入失调电压(Vos)2mV
输入偏置电流(Ib)25nA
传播延迟(tpd)1.3us
输出类型开漏
输出模式TTL;MOS;CMOS
静态电流(Iq)400uA
工作温度-40℃~+125℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
单电源2V~36V
输入失调电流(Ios)5nA
响应时间(tr)0.3us;1.3us

TL331QDBVRQ1 产品概述

一、产品简介

TL331QDBVRQ1 是 TI(德州仪器)提供的一款单路比较器,采用 SOT-23-5 小封装,适合对空间和功耗敏感的嵌入式与消费类电子设计。器件为开集电极输出(open-drain),对外提供 TTL/MOS/CMOS 兼容的逻辑接口,便于与多种逻辑电平系统互联。

二、主要电气参数

  • 单路比较器,单电源供电范围:2 V ~ 36 V(最大电源差 VDD–VSS:36 V)
  • 输入失调电压:典型 2 mV(说明中最大值可达 5 mV)
  • 输入偏置电流 Ib:约 25 nA;输入失调电流 Ios:约 5 nA
  • 静态电流 Iq(待机/静态工作电流):约 400 µA
  • 传播延迟 tpd:约 1.3 µs;上升/响应时间 tr:约 0.3 µs(器件响应性能适合中速检测与阈值监测)
  • 输出类型:开集电极(需外接上拉),兼容 TTL/MOS/CMOS 电平

三、特性与设计要点

  • 开集电极输出可通过选择不同电压的上拉电阻实现电平移位与总线共享,适合与不同逻辑电压域联接。上拉电阻取值需在响应速度与拉低电流之间权衡——较小阻值可获得更快上升沿,但低电平时功耗增加。
  • 低输入偏置与低失调电流有利于高阻抗信号源直接驱动,适合电池检测、传感器阈值判断等场合。
  • 宽供电范围(2 V 至 36 V)使器件可用于从低压单芯片系统到高压电源监测的多种应用,但在高压应用中应注意输入共模与引脚电压限值(参考器件完整数据手册)。

四、典型应用

  • 电池管理与电源电压检测、欠压/过压监测
  • 门限比较、零交叉检测与开关控制电路
  • 传感器信号放大前的阈值判断、脉冲整形与中速脉冲检测
  • 需要小封装、低偏置电流与宽工作温度(-40 ℃ 至 +125 ℃)的工业与汽车电子子系统

五、封装与布局建议

器件为 SOT-23-5,适合密集 PCB 布局。建议在 VCC 引脚附近放置 0.1 µF 旁路电容以降低电源噪声对比较性能的影响;敏感输入线尽量短并做输入滤波(RC)以抑制毛刺误触发。开集电极输出应配置合适上拉电阻并考虑上拉电压不得超过系统允许的逻辑电平范围。

六、结论

TL331QDBVRQ1 以其低失调、低偏置电流、宽电源范围与开集电极兼容性,适合用于电源管理、阈值检测和通用比较任务。对速度与功耗有中等需求的应用中,该器件在小型封装下提供了良好的性能/成本平衡。欲获得完整规范与极限参数,请参阅 TI 官方数据手册并按应用场景做具体电路验证。