STTH1R06AFY 产品概述

一、简介

STTH1R06AFY 是意法半导体（ST）推出的一款快恢复、高效率整流二极管，采用 SOD-128 表贴封装。器件基于高压快恢复结构，适用于中高压开关电源和整流场合，兼顾低正向压降与较短的反向恢复时间，从而降低导通与开关损耗，提升系统效率。

二、主要电气参数

• 型号：STTH1R06AFY（ST）
• 正向压降（Vf）：1.9 V @ IF = 1 A
• 直流反向耐压（VR）：600 V
• 额定整流电流（IF）：1 A
• 反向漏电流（IR）：1 µA @ VR = 600 V
• 反向恢复时间（Trr）：45 ns
• 工作结温范围（Tj）：-40 ℃ ～ +175 ℃
• 封装：SOD-128（小体积表贴）

三、特点与优势

• 低正向电压：1 A 电流下 Vf 约 1.9 V，减小导通损耗，适合对效率有一定要求的整流场合。
• 高耐压能力：600 V 反向耐压能满足大多数离线开关电源、逆变与工业电源的高压要求。
• 低漏电流：600 V 下仅约 1 µA，利于降低待机漏耗和提升空载效率。
• 快恢复性能：Trr = 45 ns，显著降低开关瞬态损耗和电磁干扰（相较于传统恢复慢的普通整流二极管），适用于中高开关频率设计。
• 宽工作温度：-40 ℃ 至 +175 ℃ 的结温范围，适应苛刻环境下的长期可靠运行。

四、典型应用

• 开关电源（SMPS）输出整流或回流二极管
• 开关转换器（正激/反激/飞返）的续流/钳位二极管
• 功率因数校正（PFC）电路中的整流场合（中低电流段）
• 逆变器与照明驱动（LED 平台）中的高压整流
• 工业与家电控制板、适配器、充电器等电子设备

五、设计与选型要点

• 频率匹配：Trr = 45 ns 适合中高频（数十 kHz 至数百 kHz）开关应用；若设计频率极高（MHz 级），应考虑更快的肖特基或专用快恢复器件。
• 整流电流与散热：在 IF = 1 A 时 Vf = 1.9 V，单管瞬时损耗约 1.9 W，持续工作时需关注 PCB 散热和封装热阻，必要时并联或采用更大电流器件。
• 反向漏流与待机功耗：1 µA 的低漏电流有利于低待机功耗设计，但在极高温下漏流会增加，应参考完整漏流随温度的变化曲线。
• 安全与裕量：选型时建议留有电压裕度，若系统存在高压尖峰或浪涌，应配合抑制元件（TVS、RC 吸收）并考虑更高 VR 的方案。

六、热管理与封装

SOD-128 为小型表贴封装，优点是占板面积小、适合自动化贴装；但热阻相对较高，连续高电流工作需要良好的 PCB 散热设计（扩大铜箔、加散热过孔或采用热垫）。建议参考 ST 官方资料中的 Rth(j‑a) 等热性能参数，并根据实际功耗进行结温校核，保证长期可靠性。

七、可靠性与使用建议

• 遵循厂家推荐的回流焊温度曲线，避免超过封装和内部材料允许的温度。
• 在高温、高湿或强电磁干扰环境中，应做好布局与屏蔽，以及适当的过压保护。
• 出于可靠性考虑，长期连续工作时应考虑器件的结温管控和热循环应力，必要时做老化/寿命验证。

八、替代与比较

若需更低正向压降可选择肖特基二极管，但肖特基通常在高压（≥600 V）场合受限；若对恢复时间要求更苛刻，可选专用超快恢复器件或软恢复二极管。实际替代时应综合考量 VR、IF、Vf、Trr、封装及成本。

总结：STTH1R06AFY 在 600 V 高压和 1 A 电平上，提供了较低正向压降、低漏电流和快速恢复的均衡特性，适合用于中高压开关电源及各类整流与续流应用。选用时注意热管理与工作环境温度的控制，并根据开关频率与效率要求评估是否为最佳方案。