STPS640CB-TR — ST 意法半导体 630mV@3A 共阴极肖特基二极管（DPAK）

一、产品概述

STPS640CB-TR 是意法半导体推出的一款双肖特基二极管（1 对共阴极），面向需要低正向压降与较高浪涌能力的中低压整流与保护应用。每个肖特基单元的典型正向压降为 0.63 V（在 3 A 电流条件下），额定整流电流为 3 A，反向耐压为 40 V，具有较低的正向损耗和快速恢复特性，适合在开关电源、降压转换器和功率保护电路中替代传统硅整流二极管以提高效率。

二、主要技术参数

• 二极管配置：1 对共阴极（双管，共阴极引脚）
• 正向压降（Vf）：0.63 V @ IF = 3 A
• 直流反向耐压（Vr）：40 V
• 额定整流电流（IF）：3 A（连续）
• 反向漏电流（Ir）：100 µA @ VR = 40 V
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：75 A（单次浪涌能力）
• 品牌：ST（意法半导体）
• 封装：DPAK（TO-252，贴片，TR 表示卷带包装）

（以上参数为典型/额定值，请在设计时参阅厂商完整数据手册了解温度依赖及测试条件）

三、封装与机械特性

STPS640CB-TR 采用 DPAK（TO‑252）表面贴装封装，具有以下优势：

• 体积紧凑，适合自动贴装与高密度 PCB 布局；
• 具有底部散热铜面或引脚大焊盘，便于通过 PCB 铜箔增强散热；
• TR（Tape & Reel）包装支持高速 SMT 生产线的料带供料。

在设计 PCB 板时，应为 DPAK 的散热引脚和底部焊盘预留足够的铜面积并连接到散热层或散热片，以降低结温并保证长期可靠性。

四、主要特点与优势

• 低正向压降：0.63 V@3 A 的低 Vf 有助于减少整流损耗，提升功率转换效率，尤其在高频开关电源和低压大电流输出场合效果明显。
• 较高浪涌承受能力：75 A 的非重复峰值浪涌电流能力，能够承受启动或短时过载情况下的浪涌冲击。
• 低反向漏电：100 µA@40 V 的反向漏电在多数功率场合可接受，但在低静态功耗的系统中需评估温度引起的漏电变化。
• 双管共阴极配置：便于在桥式整流或双向输出通道中组成对称或并联布置，提高电路灵活性。
• 表面贴装封装利于自动化生产与良好的热管理设计。

五、典型应用

• SMPS（开关电源）和 DC-DC 降压转换器的输出整流或自由轮二极管；
• 电池充放电管理、电源路径选择与反向保护电路；
• 电机驱动电路中的续流与保护；
• 通信、工业控制与消费电子中低压大电流整流场景；
• 作为替代传统整流二极管以降低导通损耗、提升效率的场合。

六、使用与散热建议

• PCB 散热：建议在器件底部和连接焊盘处使用大面积铜箔，并通过过孔连接至内部或背面散热层，以降低结-环境温差；
• 热阻与结温：实际允许的持续电流与结温密切相关，设计时按最高结温和实际 PCB 散热能力计算可用电流余量；
• 并联注意：若并联使用多只二极管分担电流，应确保每只器件的热阻和电流均匀，必要时加小阻值或热平衡设计避免电流不均；
• 保护与浪涌：尽管 Ifsm 能承受短时浪涌，但仍应在系统设计中加入限流或软启动设计以减少重复浪涌应力；
• 环境温度影响：正向压降与反向漏电都会随温度变化，工作在高温环境时应注意漏电增长与 Vf 下降对系统性能的影响。

七、注意事项

• 在选型与设计前，请参照 ST 官方数据手册获取完整的温度特性曲线、最大额定值、封装尺寸与焊接指南；
• 对于对反向漏电敏感的系统（如低静态功耗设备），应评估 100 µA@40 V 在工作温度下的实际影响；
• 如果需要更高的耐压或更低的漏电，考虑选择额定更高或具有专门低漏电设计的型号。

总结：STPS640CB-TR 是一款针对中低压、大电流场合的实用肖特基对管，低 Vf 与较高浪涌能力使其在效率敏感的整流和保护应用中具有明显优势。合理的 PCB 散热设计与热管理是确保其长期稳定工作的关键。