STPS2H100 — ST 意法半导体 2A/100V 肖特基整流二极管（DO-41）

一、概述

STPS2H100 是 ST（意法半导体）推出的一款轴向封装（DO-41）的肖特基整流二极管，面向通用整流与开关电源应用。器件在 2A 工作电流下具有较低的正向压降，并在高达 100V 的反向电压条件下保持极低的反向泄漏，使其在提高效率和降低热损耗方面表现良好。

二、主要电气参数

• 正向压降（Vf）：860 mV @ 2A
• 直流反向耐压（Vr）：100 V
• 额定整流电流：2 A（平均整流电流）
• 反向电流（Ir）：1 μA @ 100 V
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：50 A（单次浪涌，波形依厂方规定）

三、关键特性与优势

• 低正向压降：在 2A 工作点 Vf≈0.86 V，有助于降低导通损耗，提升系统效率，尤其在低压差电源或整流回路中收益明显。
• 低反向泄漏：在 100V 条件下 Ir≈1 μA，适合需要低静态功耗与低漏电的电路。
• 良好浪涌能力：50A 的峰值浪涌能力能应对开机冲击或短时过载情况。
• 肖特基特性：反向恢复时间极短，适合高速开关电源与开关整流场景，减少开关损耗与 EMI。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）中的续流/整流二极管
• 反向/极性保护电路
• 输入整流与滤波（中小功率）
• 车载电源、工业电源及消费电子的防浪涌/保护元件

五、封装与热管理建议

• 封装：轴向 DO-41，适合穿孔安装与手工焊接或波峰焊（请参照厂方焊接曲线）。
• 热管理：尽管为 2A 等级，长期大电流工作时需关注散热与环境温度，建议在 PCB 上留有散热空间或通过铜箔散热，并对整流电流随温度的降额情况进行设计裕度。
• 浪涌与稳态：在频繁冲击或高环境温度下应考虑额定值和浪涌能力的安全余量。

六、选型与替代建议

• 若需更低 Vf 或更高电流能力，可考虑较大封装或 SMD 的肖特基系列；若系统工作电压低于 100V，可选更低 Vr 的型号以换取更低 Vf。
• 与通用硅整流器比较：STPS2H100 在 Vf 与开关损耗上优于传统硅整流二极管，但在高温下的漏电会高于部分 PN 型整流器，需结合工作温度评估。

七、安装与可靠性注意事项

• 焊接时遵循制造商推荐的温度与时间曲线，避免过高温度导致封装或内部接合劣化。
• 储存与使用环境避免长期高温、高湿或腐蚀性气体，以维持低漏电与可靠性能。
• 对于需要符合更高可靠性标准的应用（如车规、医疗等），建议查阅 ST 的完整数据手册并确认相应认证与测试记录。

八、采购信息与资料获取

• 品名：STPS2H100；品牌：ST（意法半导体）；封装：DO-41；包材与订购单位请参考经销商库存。
• 建议在采买前下载并核对 ST 官方数据手册（Datasheet），确认完整的温度特性曲线、最大额定值及焊接/包装信息，以便精准设计与验证。

如需，我可以帮您查找完整数据手册中的温度降额曲线、典型 V–I 曲线或给出参考 PCB 布局与热仿真建议。