LSI1012N3T5G 产品概述

一、产品简介

LSI1012N3T5G 是 LRC（乐山无线电）推出的一款小功率 N 沟型场效应管，额定漏源电压 20V，适用于便携设备与低压开关场合。器件采用 SOT-883-3 紧凑封装，适合节省 PCB 面积的商用与消费类电子设计。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（单只）
• Vdss（耐压）：20V
• 连续漏极电流 Id：500mA（额定值）
• 导通电阻 RDS(on)：1.25Ω @ Vgs = 1.8V
• 门限电压 Vgs(th)：0.9V @ ID = 250µA
• 耗散功率 Pd：250mW
• 门极电荷 Qg：750pC @ 4.5V
• 输入电容 Ciss：43.5pF；反向传输电容 Crss：5.8pF；输出电容 Coss：5.8pF
• 工作温度范围：-55℃ 到 +150℃
• 封装：SOT-883-3
• 品牌：LRC（乐山无线电）

三、性能特点

• 低门限电压（≈0.9V），便于在低电压控制信号下导通。
• 在 Vgs = 1.8V 时 RDS(on) = 1.25Ω，适用于小电流开关；但在较高电流下导通损耗显著，需要热管理与限流。
• 紧凑封装利于高密度 PCB 布局。
• 门极电荷与输入电容决定了开关速度与驱动能量需求：Qg 和 Ciss 需与驱动器匹配，以避免开关损耗增加。

四、典型应用场景

• 低压小电流负载开关（传感器电源、微控制器外设电源切换）
• 电池供电设备的电源管理与保护电路
• LED 小功率驱动（低电流）
• 小信号模拟/开关阵列中的低电平控制

五、选型与使用建议

• 热限与连续电流：理论上 I^2·RDS(on) 会产生导通损耗。按照规格 Pd = 250mW 与 RDS(on) = 1.25Ω，理想静态条件下允许电流约 0.45A，但在实际 PCB 与散热条件下应留有裕量，建议连续工作电流按 200–350mA 评估并做热仿真或测量验证。
• 驱动考虑：器件标注 Qg = 750pC（@4.5V），开关时需提供相应的瞬态电流以保证较短上升/下降时间；若使用慢速 MCU 引脚直驱或较大的门电阻，会增大开关损耗与发热。
• 低电平驱动：门限电压低，适合 1.8V 类逻辑控制，但在低 Vgs 下 RDS(on) 增大，应权衡导通损耗与可用电压。

六、封装与热管理

SOT-883-3 封装体积小，散热能力有限。建议采取：

• 在 PCB 上增加器件底部及引脚处的铜面积，必要时加大散热层或过孔导热；
• 在高占空比或连续导通场合考虑并联或换用更大功率封装器件；
• 做好实际温升测试，确保结温在器件规格范围内。

七、典型电路与注意事项

• 低侧开关：常用于将负载接地的一侧作为开关管，注意在关断时栅极电荷释放路径与 TVS/续流二极管的配置。
• 保护与滤波：对感性负载增加续流二极管；对开关瞬态添加栅极电阻与缓冲电路，防止振荡。
• ESD 与焊接：遵循常规 MOSFET 防静电措施与封装焊接规范，避免过热损伤。

总结：LSI1012N3T5G 适合低压、低功耗、小电流开关应用，具有低门限与紧凑封装的优点，但因较高的 RDS(on) 与有限的耗散功率，需在设计时重视热管理与驱动能力匹配。若需在更高电流或更低导通损耗场合使用，建议参考更低 RDS(on) 或更大封装的器件。