型号:

MSS1P5-M3/89A

品牌:VISHAY(威世)
封装:MicroSMP(DO-219AD)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MSS1P5-M3/89A 产品实物图片
MSS1P5-M3/89A 一小时发货
描述:肖特基二极管 680mV@1A 50V 150uA@50V 1A
库存数量
库存:
12662
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.374
4500+
0.353
产品参数
属性参数值
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)680mV@1A
直流反向耐压(Vr)50V
整流电流1A
反向电流(Ir)150uA@50V
工作结温范围-55℃~+150℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)25A

MSS1P5-M3/89A 产品概述

一、产品简介

MSS1P5-M3/89A 是一款由 VISHAY(威世)生产的肖特基势垒二极管,采用 MicroSMP(DO-219AD)表面贴装封装。该器件面向1A级整流和保护应用,具有较低的正向压降和良好的瞬态浪涌耐受能力,适合开关电源输出整流、极性保护、续流钳位等场景。

二、主要电气参数(关键值)

  • 正向压降(Vf):约 680 mV @ IF = 1 A
  • 反向直流耐压(Vr / VR):50 V
  • 工作整流电流(IF):1 A(额定整流电流)
  • 反向电流(Ir):150 μA @ VR = 50 V
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):25 A(一次性浪涌能力)
  • 工作结温范围(Tj):-55 ℃ 至 +150 ℃

以上参数为器件在典型工作条件下的关键指标,用于评估器件在目标电路中的导通损耗、漏电和抗冲击能力。

三、核心特性与优势

  • 低正向压降:680 mV@1A 的正向压降相比普通硅整流二极管可有效降低导通损耗,提升整流效率与系统热稳定性。
  • 低反向漏流:在50 V 反向电压下,反向电流仅 150 μA,适合高阻态要求的电源与保护电路。
  • 良好浪涌承受力:25 A 的非重复峰值浪涌电流可应对启动电流、充电浪涌或短时脉冲事件,增强系统鲁棒性。
  • 宽工作温度:-55 ℃ 至 +150 ℃ 的结温范围使其适用在工业级、温度变化较大的工作环境中。
  • 表面贴装封装:MicroSMP(DO-219AD)封装有利于高密度PCB布局与标准SMT生产工艺。

四、典型应用场景

  • 开关电源整流输出(低压、高频整流)
  • 负载极性反接保护(反向接入时迅速导通或切断)
  • DC-DC 转换器的输出整流与续流二极管
  • 电池充电/管理电路(防反接、旁路)
  • 汽车电子(需验证工作温度与可靠性)与工业电源模块的瞬态浪涌保护

五、封装与热管理建议

该型号采用 MicroSMP(DO-219AD)小型表面贴装封装,适配自动贴片与回流焊工艺。由于正向压降在电流较大时会产生一定热量,建议在PCB设计时:

  • 在PCB焊盘区域增加铜箔面积以提高散热能力;
  • 将二极管附近的铜皮与散热层通过热过孔(thermal vias)连接到散热层或散热板;
  • 在1A及以上连续导通场景下,验证结温(Tj)与环境温度(Ta)配合,确保不超过器件最大允许结温;
  • 遵循厂家推荐的回流焊温度曲线,避免超温导致器件损伤。

六、可靠性与使用注意

  • 避免长期在高于额定反向电压或超额定正向电流下工作,这会增加器件漏电和热应力;
  • 瞬态浪涌虽可达 25 A,但频繁的大幅浪涌会降低寿命,设计时应配合限流或软启动电路;
  • 在高温环境下,反向漏流会随温度上升而增大,应用中需评估漏电对系统的影响;
  • 储存与焊接过程中避免机械应力与潮湿污染,出厂后建议按Moisture Sensitivity等级与包装说明处理。

七、选型建议

  • 若目标应用要求更低的正向压降以降低功耗,可对比更高级别的肖特基或并联多只器件(但需注意均流);
  • 若反向耐压要求高于 50 V,应选择更高Vr等级的器件;
  • 对于对反向漏流极为敏感的电池供电或高阻态设计,需评估150 μA 在实际工作电压下的影响并可考虑替代低漏电型号;
  • 在需要自动贴片与紧凑布局的场合,MicroSMP 封装具有明显优势。

八、总结

MSS1P5-M3/89A 为一款面向中小功率整流与保护应用的肖特基二极管,凭借 680 mV@1A 的正向压降、50 V 的耐压和 25 A 的瞬态浪涌能力,在开关电源输出、极性保护和续流场景中具有良好性价比。设计时需关注散热与漏电影响,根据系统要求选择合适的封装与版面散热策略,以确保长期可靠运行。