24AA1026T-I/SN 产品概述

一、产品简介

24AA1026T-I/SN 是来自 MICROCHIP（美国微芯）的一款高可靠性串行 EEPROM 存储器，容量为 1 Mbit（128K x 8），采用 I²C 两线接口，支持 400 kHz 快速模式。该器件工作电压范围宽（1.7 V 至 5.5 V），工作温度范围为 -40 ℃ 到 +85 ℃，并以 SOIC-8 封装形式提供，适合在工业级及低功耗嵌入式系统中作为非易失性配置、参数或日志存储器使用。

二、主要规格一览

• 存储容量：1 Mbit（128K × 8）
• 接口类型：I²C（两线串行接口），最大时钟频率 fc = 400 kHz
• 访问时间：900 ns（读操作随机访问响应）
• 工作电压：1.7 V ~ 5.5 V，适应多种电源方案
• 写周期时间（Tw）：典型 5 ms（完整写周期）
• 数据保留（TDR）：200 年
• 写周期寿命（耐久性）：1,000,000 次
• 工作温度：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 封装：SOIC-8（8-SOIC）
• 品牌：MICROCHIP（美国微芯）

三、电气与时序特性说明

24AA1026T 在 1.7 V 至 5.5 V 的宽电压范围内保持可靠读写，适合与低压 MCU（1.8 V / 3.3 V）和传统 5 V 系统配合使用。I²C 接口支持标准和快速模式，最高 400 kHz 时钟可满足大多数控制器对速度的要求。随机读响应约为 900 ns，使得小数据量读取延迟很低。写操作需遵守写周期时间（约 5 ms），在写入期间器件会保持忙状态，主机应通过读-写时序或 I²C 总线的 ACK/NACK 以及器件忙标志来确认写完成。

四、可靠性与寿命

该器件强调长期数据保持与高写入耐久性：典型数据保留期达 200 年，写入寿命高达 1,000,000 次（在额定条件下）。这些指标使 24AA1026T 特别适合需要长期保存配置、校准常数、序列号或设备标识信息的产品。即便如此，对于高频写入场景，仍建议采取磨损均衡（wear leveling）和写入合并策略，以延长系统可靠性和降低局部擦写热点。

五、典型应用场景

• 嵌入式系统的参数、校准值和配置存储
• 工业控制器和仪器的日志记录、小批量数据缓存
• 消费类设备中的配置与序列号存储
• 通信设备中的非易失性状态保持
• 需要长时间保存数据且对写入次数有较高要求的工业测控场合

六、设计与使用建议

• I²C 总线：24AA1026T 需要外部上拉电阻连接到 SDA 和 SCL 线上，建议根据总线容量选择合适阻值（常见范围 2.2 kΩ ~ 10 kΩ）。
• 写入效率：尽量采用页写（page write）策略以减少总线事务数与写周期次数（注意页面边界），以降低平均写时延并延长寿命。
• 写保护与数据完整性：如系统支持硬件写保护（WP）或软件层写保护逻辑，应在关键数据写入时启用保护机制；在重要数据写入后，建议在应用层加入校验（CRC）以保证数据完整性。
• 电源管理：在电源电压边界（接近 1.7 V）工作时，应验证系统在掉电或电压瞬变时的写入可靠性，避免在写周期中断电导致数据损坏。
• 温度与可靠性：产品额定 -40 ℃ 至 +85 ℃，适合大多数工业环境；若用于更高温度或极端环境，应在系统设计阶段进行额外验证。

七、封装与物理信息

24AA1026T-I/SN 提供 SOIC-8（8-SOIC）封装，适用于自动贴装与回流焊工艺，便于在小型 PCB 上布局。该封装在工业和消费类产品中广泛使用，便于替换和维护。

八、总结

24AA1026T-I/SN 以其 1 Mbit 大容量、宽电压范围、工业级温度等级以及极高的数据保持和写入耐久性，成为可靠的非易失性存储选择。对于需要长期保存关键参数或在严苛环境下工作的系统，该器件提供了稳健的性能保障。设计时应关注 I²C 总线配置、写入策略和电源完整性，以获得最佳性能与最长寿命。