型号:

MCP6541RT-E/OT

品牌:MICROCHIP(美国微芯)
封装:SOT-23-5
批次:23+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MCP6541RT-E/OT 产品实物图片
MCP6541RT-E/OT 一小时发货
描述:比较器 6.5mV 8us 7mV 1pA
库存数量
库存:
59
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.06
3000+
1.95
产品参数
属性参数值
比较器数单路
输入失调电压(Vos)1.5mV
输入偏置电流(Ib)1pA
传播延迟(tpd)4us
滞后电压(Vhys)3.3mV
共模抑制比(CMRR)70dB
输出类型推挽
输出模式TTL;CMOS
轨到轨轨到轨输入
静态电流(Iq)600nA
工作温度-40℃~+125℃
最大电源宽度(Vdd-Vss)7V
单电源1.6V~5.5V
输入失调电压温漂(Vos TC)3uV/℃
输入失调电流(Ios)1pA
响应时间(tr)0.85us

MCP6541RT-E/OT 产品概述

一、产品概述

MCP6541RT-E/OT 是 MICROCHIP(美国微芯)推出的一款单路比较器,采用 SOT‑23‑5 小封装,面向超低功耗、便携与传感器类应用。器件支持轨到轨输入,推挽输出并兼容 TTL/CMOS 电平,工作电源范围宽(单电源 1.6V~5.5V,最大允差 7V),工作温度 -40℃~+125℃,适用于电池供电与低功耗监控场景。

二、主要参数

  • 比较器通道:单路
  • 输入失调电压 Vos:1.5 mV(典型)
  • 输入失调电压温漂 Vos TC:3 µV/℃
  • 输入偏置电流 Ib:1 pA
  • 输入失调电流 Ios:1 pA
  • 静态电流 Iq:600 nA(极低静态电流)
  • 传播延迟 tpd:4 µs
  • 响应时间 tr:0.85 µs
  • 滞后电压 Vhys:3.3 mV(内置微量滞后,利于抗抖动)
  • 共模抑制比 CMRR:70 dB
  • 输出类型:推挽,TTL/CMOS 兼容
  • 输入特性:轨到轨输入
  • 工作电源:单电源 1.6V 至 5.5V(最大 7V)
  • 工作温度:-40℃ 至 +125℃
  • 封装:SOT‑23‑5
  • 品牌:MICROCHIP

三、性能亮点

  • 极低静态电流(600 nA),适合电池供电或长期待机的系统。
  • 非常小的输入偏置与失调(Ib、Ios ≈ 1 pA,Vos 约 1.5 mV),对弱信号比较性能优异。
  • 轨到轨输入可直接检测接近电源轨的信号,简化前端设计。
  • 推挽输出兼容 TTL 与 CMOS 电平,便于直接驱动数字逻辑或微控制器中断输入。
  • 宽工作温度与宽电源范围,适应工业级与车载周边低压供电场景。

四、典型应用

  • 电池电源电压检测与欠压/过压监控(低功耗待机)
  • 传感器阈值检测(温度、湿度、气体传感器等)
  • 便携设备的电源管理与唤醒电路
  • 仪表与便携测量仪的信号比较与过零检测
  • 低功耗脉冲/占空比监控与简单闭环控制

五、设计与使用建议

  • 在噪声环境下,如需更明显的去抖效果,可在输入端外接小量正反馈以增加滞后;内置 3.3 mV 滞后适合轻度抖动抑制。
  • 对接 MCU 时注意输出电平与供电电压的一致性;在接近 1.6V 低压工作时仍能工作,但兼容性与门电平阈值需验证。
  • 虽然输入为轨到轨,但应避免将输入电压驱动超过器件的允许范围(参考原厂绝对最大额定值)。
  • 对高精度比较场合,请关注温漂参数(Vos TC ≈ 3 µV/℃)并在必要时做校准或采用差分结构降低误差。
  • 若需更快响应或更大容载能力,请评估传播延迟与输出驱动能力是否满足系统要求。

六、封装与订购信息

  • 标准封装:SOT‑23‑5,适合表贴工艺与空间受限设计。
  • 型号示例:MCP6541RT‑E/OT(详见 MICROCHIP 原厂数据手册以确认封装标识与包装选项)。

备注:以上参数基于器件典型与代表性规格,具体设计请以 MICROCHIP 官方数据手册与应用说明为准,并关注片上最大额定值与 PCB 级保护建议。