LBC846BDW1T1G 产品概述

LBC846BDW1T1G 为乐山无线电（LRC）推出的高增益小信号双 NPN 晶体管器件，采用 SC-88 小型贴片封装，器件内含两颗 NPN 晶体管。器件针对低功耗、高增益及高频性能进行了优化，适合便携式电子、射频前端和通用小信号放大/开关场合。

一、主要性能与参数一览

• 晶体管类型：NPN（双晶体管，封装内含2个NPN）
• 最大集电极电流 Ic：100 mA
• 集-射击穿电压 Vceo：65 V
• 功耗耗散 Pd：380 mW
• 直流电流增益 hFE：200（典型，测试条件 Ic = 2.0 mA，VCE = 5 V）
• 转换频率 fT：770 MHz（典型）
• 集电极截止电流 Icbo：15 nA（典型）
• 集-射饱和电压 VCE(sat)：250 mV（典型，随偏置工况变化）
• 射-基极击穿电压 Vebo：6 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SC-88 贴片封装
• 品牌：LRC（乐山无线电）
• 数量：每封装包含 2 个 NPN 晶体管

二、器件特性优势

• 高电流增益：典型 hFE = 200（低电流区），使得在小信号放大器和前置放大器中可获得较大的电压/电流增益，便于减小后级负载或偏置电流。
• 高频性能优良：fT ≈ 770 MHz，适合 VHF / UHF 频段的增益级或驱动级应用，可用于射频前端的增益或缓冲电路。
• 低漏电流：Icbo 典型 15 nA，有利于提高静态功耗性能和低频小信号的稳定性，适合低功耗或待机场景。
• 低饱和压：VCE(sat) 典型 250 mV（在导通条件下），有利于开关应用时降低功耗和压降。
• 宽电压与温度范围：Vceo 65 V 提供中压能力，工作温度范围 -55 ℃ ~ +150 ℃ 满足工业级环境要求。

三、典型应用场景

• 便携式通信设备：作小信号放大、缓冲或驱动器，兼顾高增益与高频响应。
• 射频前端与中频放大器：利用高 fT 实现 VHF/UHF 增益级或本振/混频前端驱动。
• 通用开关与驱动：在 100 mA 级别的低功耗开关场景使用，适合信号级继电器驱动、LED 驱动（受功耗限制）。
• 差分对和模拟前端：封装内含两颗 NPN，适合作差分放大器、双通道匹配放大器或对称驱动电路，减少 PCB 占用空间。
• 传感器接口与低功耗放大：低漏电特性有利于传感器前端与电荷放大器设计。

四、封装与引脚提示

• 封装形式：SC-88 小型贴片封装，适合表面贴装工艺（SMT）与高密度 PCB 布局。
• 双晶体管设计在单一封装内节省空间并简化差分或双通道设计。具体引脚排列请参照制造商封装图纸以确认管脚顺序与引脚公差。
• PCB 布局建议：尽量缩短射频或高频走线，增加地平面面积以降低寄生电感与热阻；在需要散热时在封装邻近区域使用尽量大的铜箔面积或过孔散热。

五、使用与设计注意事项

• 功耗与热管理：Pd = 380 mW 为器件允许的最大耗散，实际应用中应留有裕量，避免在高环境温度或持续最大电流下长时间工作。必要时通过增加 PCB 铜面积或热 vias 改善散热。
• 电压与电流余量：集电极电流、击穿电压和基极反向电压均有严格限制；在设计偏置与过载保护时保持足够裕量以防止击穿或失效。
• 反偏保护：基极-射极反向击穿 Vebo = 6 V，避免在测试或电路异常时使基-射间承受反向高压。
• 焊接与装配：采用通用 SMT 回流焊工艺，遵循元件制造商的回流温度曲线与湿热处理要求。为防静电损伤（ESD），建议在装配与测试过程中采取静电防护措施。
• 器件配对与匹配：封装内两颗 NPN 晶体管来源同一芯片工艺，通常具有较好的一致性，适合差分级或双通道匹配应用；若需精密匹配，请通过测试确认参数一致性。

六、选型与订购信息

• 型号：LBC846BDW1T1G
• 品牌：LRC（乐山无线电）
• 封装：SC-88（双 NPN）
• 适用于对体积、增益和高频性能有要求的便携与工业电子产品设计。在批量采购或关键应用时，建议获取完整数据手册与封装/测试报告以确保在目标工况下满足可靠性与性能要求。

如需更详细的电气特性曲线、典型应用电路或封装引脚图，请索取 LRC 官方数据手册或提供具体应用环境以便给出针对性的电路建议与仿真参数。