型号:

LDTD123YLT1G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:SOT-23
批次:24+
包装:-
重量:-
其他:
-
LDTD123YLT1G 产品实物图片
LDTD123YLT1G 一小时发货
描述:数字晶体管 50V 500mA 1个NPN-预偏置
库存数量
库存:
2609
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.122
3000+
0.108
产品参数
属性参数值
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)500mA
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)56@50mA,5V
最小输入电压(VI(on))2V
最大输入电压(VI(off))300mV
输出电压(VO(on))300mV
输入电阻2.2kΩ
电阻比率4.5
工作温度-55℃~+150℃

LDTD123YLT1G — 数字晶体管(NPN、预偏置)产品概述

一、概述

LDTD123YLT1G 是乐山无线电(LRC)推出的一款SOT-23封装数字晶体管,内部集成偏置电阻网络,面向单芯片逻辑驱动与通用开关场合。器件为NPN 预偏置型,具有50V的集—射极击穿电压(Vceo)、最高500mA的集电极电流能力,适合驱动LED、小型继电器线圈、光耦与一般负载的低成本解决方案。

二、主要电气参数

  • 集—射极击穿电压 Vceo:50V
  • 最大集电极电流 Ic:500mA(受封装热耗散与工作条件限制)
  • 耗散功率 Pd:200mW(SOT-23 封装热限制,注意散热与功耗预算)
  • 直流电流增益 hFE:56(在 Ic=50mA、Vce=5V 条件下)
  • 开通输入电压 VI(on):约 2.0V(达到导通条件的典型门槛)
  • 关闭输入电压 VI(off):最大 300mV(低于该电平可保证关闭)
  • 输出饱和电压 VO(on):典型 300mV(导通时集电极-发射极饱和压降)
  • 输入电阻:2.2kΩ(器件内置电阻)
  • 电阻比率:4.5(表示内置偏置网络的比例关系,用以提供默认关断或上拉行为)
  • 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃

三、器件特点与优势

  • 集成偏置电阻:免去外部基极限流/下拉电阻,简化外围电路,节省PCB空间与装配成本。
  • 低饱和压降:VO(on) 约 300mV,降低开关损耗,适合较大电流下的高效开关。
  • 宽电压和温度范围:Vceo 50V 与-55℃~+150℃工作温度,适应性强。
  • 封装小巧:SOT-23 便于表贴,适合密集布局和自动化贴装生产。

四、典型应用

  • MCU/GPIO 直接驱动指示灯、微型继电器或有源蜂鸣器;
  • 光耦、继电器驱动和开关控制电路;
  • 电平移位与缓冲,作为数字输出级的开关元件;
  • 工业控制、通讯设备和家用电器的通用开关单元。

五、使用注意事项与设计建议

  • 功耗预算:器件Pd仅200mW,虽然Ic峰值可达500mA,但持续电流受瞬态VCE与功耗限制;在大电流应用(例如接近500mA)应确保VCE很低或采用并联/更高功耗封装,以避免过热。
  • 引脚定义:典型SOT-23引脚配置为 1=输入(B),2=发射极(E,接地),3=集电极(C,输出),设计时务必以厂商数据手册为准确认引脚。
  • 输入门槛:VI(on)≈2V,适合直接被常见单片机IO驱动;低电平关断阈值VI(off)≤300mV,能提供可靠的关闭动作。
  • PCB布局:保持基极与集电极连接线短,利于散热与降低寄生电感;如频繁开关或大电流工作,考虑在集电极侧增加铜箔面积以提升散热。
  • 可靠性与防静电:器件为半导体器件,应做好防静电保护与按回流焊工艺规范处理;储存与使用遵循相关包装和回流曲线说明。

六、总结

LDTD123YLT1G 为一款功能齐全的预偏置NPN数字晶体管,适合需要节省外围元件与空间的场合。凭借集成电阻网络、可观的开关能力与SOT-23封装,它在微控制器驱动与通用开关应用中具备良好性价比。工程使用时,应重点关注热管理与在高电流场合下的功耗限制,参考完整数据手册能获得更精确的极限与典型特性。