2SD882SG-P-AB3-R 产品概述

一、概述

2SD882SG-P-AB3-R 是 UTC（友顺）出品的一款小功率 NPN 双极结晶体管，额定耗散功率为 500mW、集电极耐压 Vceo 30V，标称集电极电流 Ic 可达 3A。器件采用 SOT-89-3 封装，体积小、适合高密度贴片电路。凭借中等电流增益与较高的特征频率，适合于小功率开关、驱动和音频放大等应用场景。

二、电气特性（典型/标称）

• 直流电流增益 hFE = 160（测量条件 1A，VCE≈2V）
• 集电极截止电流 Icbo = 1µA（低漏电，有利于低静态损耗）
• 集射击穿电压 Vceo = 30V
• 特征频率 fT ≈ 80MHz（适合音频及中低频开关应用）
• 额定集电极电流 Ic = 3A（标称值；受封装与热限制需降额使用）
• 耗散功率 Pd = 500mW（封装热能力限定）
• 射基击穿电压 Vebo = 7V
• 集电极饱和电压 VCE(sat) = 500mV（给出条件 2A，0.2A）

三、主要特性与应用场景

• 中等电流增益与低漏电，适合做开关管或小信号功率放大器。
• fT=80MHz 表明在 VHF 以下频段有良好响应，适用于音频放大、驱动晶体管、低压降稳压器前级以及电机驱动的控制级。
• SOT-89-3 封装适合 PCB 空间受限的消费类电子、便携设备、电源管理模块等场合。

四、封装与热管理

SOT-89-3 提供紧凑布局优势，但散热能力有限。器件 Pd 为 500mW，在实际电路中应通过合理的 PCB 铜箔散热、加大散热焊盘面积及必要时并联或外部散热片来降低结温。标称 Ic=3A 为器件最大允许值，但在不良散热条件下，长期大电流会导致功耗超标和失效，因此需按热阻和环境温度进行降额设计。

五、使用要点与建议

• 开关应用建议设计合适基极限流电阻与驱动电流，保证在所需 Ic 下 hFE 能提供足够饱和基流；注意 VCE(sat) 随电流增大而上升，功耗相应增加。
• 在设计时以 Pd 与封装热阻为约束，计算结温并执行热降额，避免长时间大电流工作。
• 若用作高频放大，应考虑封装寄生电容与布局，保证稳定性与带宽。
• 注意基-发间击穿 Vebo=7V，避免基极过压。

六、总结

2SD882SG-P-AB3-R 是一款面向小功率开关与驱动用途的 NPN 晶体管，具备较高的直流增益和良好的频率特性，适合空间受限的消费类与工业控制电路。使用时需重视 SOT-89 的散热限制并进行合理降额与 PCB 热设计，以确保长期可靠性。