型号:

SM6T36AY

品牌:ST(意法半导体)
封装:SMB(DO-214AA)
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SM6T36AY 产品实物图片
SM6T36AY 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) SM6T36AY
库存数量
库存:
1465
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.668
2500+
0.618
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)36V
钳位电压64.3V
峰值脉冲电流(Ipp)62A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)4kW@8/20us
击穿电压36V
反向电流(Ir)200nA
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型TVS

SM6T36AY 产品概述

一、产品简介

SM6T36AY 是意法半导体(ST)推出的一款单向瞬态电压抑制器(TVS),封装为 SMB(DO-214AA)。器件用于对抗瞬态浪涌与静电放电(ESD),提供对电源线与信号线的保护,典型应用包括工业电源、通信接口、外围电源模块及各种易受浪涌冲击的电子设备。

二、主要电气参数

  • 类型:单向 TVS(单极性)
  • 反向截止电压 Vrwm:36 V
  • 击穿电压(标称):36 V
  • 钳位电压 Vc:64.3 V(在峰值脉冲电流条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:62 A(8/20 μs 浪涌波形)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:4 kW(8/20 μs)
  • 反向漏电流 Ir:200 nA(在 Vrwm 条件下典型值)
  • 工作温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2 静电放电防护规范

三、特性与优势

  • 高能量吸收能力:在标准 8/20 μs 浪涌下可承受 62 A 峰值脉冲电流与 4 kW 瞬态功率,适用于中高能量冲击场合。
  • 低钳位电压:在指定浪涌电流下钳位电压约 64.3 V,有效限制被保护电路上的过压幅度。
  • 极低漏电流:200 nA 的反向漏电在静态工作时对系统负载影响小,利于低功耗设计。
  • 宽温度范围与可靠性:-55 ℃ 至 +150 ℃ 的工作区间,适用于严苛环境与工业级应用。
  • 标准化封装 SMB:方便波峰/回流焊装配,具有较好的热量散发能力与功耗处理能力。

四、典型应用场景

  • 工业电源防护(24 V/36 V 电源轨保护)
  • 通信设备的接口和信号线防护(如以太网接口、电源入口)
  • 电源适配器、UPS 系统的浪涌保护
  • 消费类电子与仪表中的输入浪涌抑制

五、使用与布局建议

  • 尽量将 TVS 靠近被保护端口或电源入口布局,缩短走线以降低寄生电感,从而提高钳位效果。
  • 在 SMB 封装周围保留合理的焊盘和散热路径,必要时在 PCB 下方使用散热铜箔以帮助热量扩散。
  • 单向 TVS 的极性请正确接线:阴极(标识端)接被保护电源线,阳极接地。
  • 对于重复冲击场合,应评估器件的能量循环能力并考虑并联或采用更大功率等级的 TVS。

六、选型和可靠性注意事项

  • 若系统工作电压接近或高于 Vrwm(36 V),需重新评估是否选择此型号或考虑更高 Vrwm 的产品。
  • 注意钳位电压在指定 Ipp 下的表现,实际系统中浪涌电流可能不同,需结合系统仿真与测试确认被保护元件安全。
  • 长期高温或多次大能量冲击会降低器件寿命,应在设计时留有裕量并参考厂商的冲击循环数据。

七、总结

SM6T36AY 提供高能量吸收能力、较低钳位电压与极低漏电流,适合对 36 V 级别电源与接口进行稳健的瞬态过压保护。合理的 PCB 布局与正确的选型匹配能充分发挥其在工业与通信领域的保护作用。若需更详细的电气特性曲线或封装机械图,请参考 ST 官方数据手册。