CJAC50P03 产品概述

CJAC50P03 是江苏长电/长晶（CJ）生产的一款 P 沟道功率 MOSFET，面向需要高电流开关、低导通损耗的高侧开关和保护电路应用。器件在 PDFNWB-8L-EP (5×6 mm) 封装中提供，具有较低的导通电阻与较高的额定电流能力，但器件的功耗与热管理需要在设计中认真考虑。

一、主要参数（关键规格）

• 极性：P 沟道
• 漏源耐压 Vdss：30 V
• 连续漏极电流 Id（器件额定）：50 A
• 导通电阻 RDS(on)：4.4 mΩ @ Vgs = 10 V
• 耗散功率 Pd（单片、自由空气）：2 W
• 阈值电压 Vgs(th)：约 2.5 V（通常为门限的幅值）
• 总门极电荷 Qg：84 nC
• 输入电容 Ciss：3.59 nF
• 反向传输电容 Crss（Miller）：665 pF
• 封装：PDFNWB-8L-EP (5×6 mm)
• 单位：1 件

二、器件特点与意义

• 低导通电阻（4.4 mΩ @10 V）：在充分驱动下，导通损耗小，适合需要低压降的大电流路径。
• 较高额定电流（50 A）：适用于高电流瞬态或短时脉冲应用，但需结合热设计评估连续工作能力。
• 较大门极电荷（84 nC）与较高 Ciss/Crss：开关时需要较强的驱动能力，Miller 电容较大会影响开关转折与开关损耗。
• 中等耗散功率（Pd = 2 W）：表明封装散热限制明显，器件在满载 50 A 时需要外部散热（大铜箔、过孔、底部焊盘）以避免过热。

三、热与电气设计要点

• 导通损耗估算：Pond = I^2 × RDS(on)。例如在 50 A 时，Pond ≈ 50^2 × 0.0044 ≈ 11 W（远高于器件 Pd = 2 W），因此器件的 50 A 通常指短脉冲或在有充分散热的条件下。
• 开关损耗与驱动：较大的 Qg（84 nC）和 Crss（665 pF）意味着需要较大电流的门极驱动器以实现快速切换，否则会增加开关损耗与发热。
• 热路径建议：利用封装底部大焊盘（EP）连接厚的铜箔或多层散热层，必要时使用热过孔把热量传导到背面大面积铜箔或散热器。

四、驱动与布局建议

• 驱动器选择：选择能提供大电流瞬态（数百 mA~1 A）的门极驱动器，以克服 Qg 并控制 dV/dt；在需要减缓转速以降低 EMI 时可并联适当门阻（Rgate）。
• 门极电阻：典型取值 5–20 Ω，具体由开关速度与系统 EMI 要求决定。
• PCB 布局：大电流路径尽量短而宽；将功率回流与分散的热源分开；在封装底部设置多个热过孔并焊实，减小热阻与寄生电感。
• 抑制电路：对高 dV/dt 或感性负载建议增加缓冲（RC、TVS 或回路吸收）以保护器件并限制峰值电压。

五、典型应用场景

• 作为高侧开关或负载开关（12 V、24 V 系统）进行电源断开与保护；
• 逆接保护、低压降电源切换；
• 大电流开关矩阵、功率管理模块、某些电池保护或分配场景（需注意热设计与浪涌电流）。

六、选型与使用注意事项

• Vdss = 30 V 使其适合典型汽车/工业 12 V、24 V 系统，但要考虑浪涌与直流-直流 转换器中的瞬态电压；
• 连续 50 A 的能力受限于散热条件，务必按系统温升和 PCB 散热能力核算真实允许电流；
• 在高 dV/dt 或需频繁开关的场合，评估驱动能否满足 Qg 需求并注意开关损耗及 EMI 管理。

该产品在追求低 RDS(on) 和高瞬态电流场合具有较好的性价比，但在高连续功率应用中务必重视散热、驱动与保护设计，确保器件工作在可靠、安全的热-电条件下。若需针对具体电路（如高侧开关、反向保护或同步整流）给出原理图与器件配套建议，可提供系统电压、负载特性与占空比等信息以便进一步优化设计。