型号:

PZTA42

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-223-3
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PZTA42 产品实物图片
PZTA42 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1W 300V 200mA NPN
库存数量
库存:
6354
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.25272
2500+
0.2214
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)300V
耗散功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE)25@1mA,10V
特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@20mA,2mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

PZTA42 产品概述

一、产品简介

PZTA42 为高压 NPN 功率三极管,单颗器件额定集电极电流 Ic 可达 200mA,集射极击穿电压 Vceo 300V,耗散功率 Pd 为 1W。该器件由 CJ(江苏长电/长晶)生产,采用 SOT-223-3 封装,适用于中低电流、高电压场合的开关与放大应用。器件工作温度范围宽 (-55℃ ~ +150℃),适应工业级环境。

二、主要参数与电气性能

  • 类型:NPN 双极型晶体管(BJT)
  • Ic:200mA(最大)
  • Vceo:300V(集射极击穿电压)
  • Pd:1W(封装级别热耗散)
  • hFE(直流电流增益):25 @ Ic=1mA, Vce=10V(表征低电流放大能力)
  • fT(特征频率):约 50MHz(适用于低中频信号放大)
  • Icbo(集电极截止电流):典型 100nA(低漏电流,但随温度上升)
  • VCE(sat)(饱和电压):典型 500mV @ IC=20mA,IB=2mA(开关饱和特性)
  • Vebo(射基极击穿电压):6V(基-发反向电压限制)

注:上述各项参数需参考具体器件数据手册中的测量条件与典型/最大值说明。

三、热管理与功耗注意

PZTA42 在 SOT-223-3 封装下 Pd 标称为 1W,但实际热性能受到电路板铜箔面积、散热路径及环境温度影响。高压应用中须注意:

  • 尽量扩展 PCB 散热铜箔并采用多层地铜,以降低结温;
  • 在高占空比或连续导通情况下进行功耗和结温计算,必要时降额使用或改用更大封装器件;
  • 考虑热阻和热阻-结至环境的关系,确保结温不超过最大额定值以保证长期可靠性。

四、典型应用场景

  • 高压开关电路:驱动小型继电器或继电器前置级;
  • 电源与变换器:高压脉冲驱动、电源抽头开关(低功率);
  • 信号放大:中低频模拟放大、电平转换与信号驱动;
  • 测试与保护电路:高压检测、断路保护前置器件(注意基极反向电压保护)。

五、使用要点与电路建议

  • 基极驱动:为了快速进入饱和且降低 VCE(sat),建议按数据手册计算合适的基极电流,参考典型值 IC/IB ≈ 10,使得在 IC=20mA 时 IB≈2mA 可获得 ~500mV 饱和压;
  • 反向保护:Vebo=6V,避免对基-发间施加反向电压超过该值,可在必要时并联反向保护二极管或限压网络;
  • 漏电与高温影响:Icbo 随温度显著上升,高温环境下需评估漏电对电路性能的影响;
  • 安全工作区(SOA):在高压低电流或低压高电流的组合下注意器件的 SOA 限制,避免在靠近极限的工况长期工作。

六、封装与订购信息

  • 品牌:CJ(江苏长电/长晶)
  • 型号:PZTA42(NPN,高压、1W)
  • 封装:SOT-223-3(表面贴装,便于中等散热设计)
  • 数量:1 个(单件采购) 购买或布局时请按厂家数据手册确认引脚定义与焊接工艺,遵循推荐回流曲线以保证可靠性。

总结:PZTA42 以其 300V 的高压等级与 200mA 的电流能力,适合需要高压耐受且功率不大的开关与放大场合。合理的基极驱动与热管理是发挥其性能并保证长期可靠性的关键。