型号:

ES2D

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SMAG
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
ES2D 产品实物图片
ES2D 一小时发货
描述:快恢复/高效率二极管 独立式 950mV@2A 200V 2A
库存数量
库存:
4633
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.099792
5000+
0.081864
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)950mV@2A
直流反向耐压(Vr)200V
整流电流2A
反向电流(Ir)5uA@200V
反向恢复时间(Trr)35ns
工作结温范围-55℃~+150℃@(Tj)
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)50A

ES2D 产品概述

一、产品简介

ES2D 是江苏长电(CJ/长晶)推出的一款独立式快恢复、高效率整流二极管(封装:SMAG)。该器件在2A工作电流下正向压降典型为0.95V,直流反向耐压200V,反向电流仅5µA(Vr=200V),反向恢复时间Trr约35ns,非重复峰值浪涌电流Ifsm可达50A,结温工作范围宽(Tj = -55℃ ~ +150℃)。总体定位为中功率开关电源与整流场合的高效率快恢复二极管。

二、主要参数要点

  • 封装:SMAG(SMA 型玻封/玻封类似封装,便于波峰/回流焊接与自动贴装)。
  • 正向压降 Vf:0.95V @ If = 2A(低 Vf 有利于降低导通损耗)。
  • 额定整流电流 If(AV):2A。
  • 反向耐压 Vr:200V(适用于中高压整流与开关电源次级整流)。
  • 反向电流 Ir:5µA @ 200V(低漏电,有利于提高待机效率)。
  • 反向恢复时间 Trr:35ns(属于快恢复类型,适配高频开关,但非超快恢复或肖特基级别)。
  • 峰值浪涌 Ifsm:50A(短时冲击吸收能力良好)。
  • 工作结温:-55℃ ~ +150℃。

三、性能优势与设计意义

  • 低正向压降(0.95V)直接降低导通损耗:在2A连续工作时器件自身耗散约1.9W(Pd≈Vf×If),需按实际散热条件计算并做好热设计。
  • 35ns 的快恢复特性在典型SMPS二极管整流、反并联回收或钳位回路中,可有效减少反向恢复引起的开关损耗与电磁干扰(EMI)。
  • 低漏电流与宽工作温区提升系统待机效率与可靠性,适合消费类电源、适配器和LED驱动等应用。

四、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)次级整流或整流桥替代件。
  • AC/DC 适配器、电池充电器、LED 驱动电源。
  • 电机驱动与逆变器的自由轮回路(中频场合)。
  • PFC 折返、钳位/吸收电路以及一般功率整流。

五、使用与布局建议

  • 热管理:连续2A条件下需关注器件导热至焊盘与PCB,建议增大铜箔面积或加散热铜箔/散热片以保证结温在安全范围内。
  • 冲击与浪涌:若应用场合存在频繁或高能量浪涌,应评估Ifsm与浪涌持续时间,并配合熔断/限流元件保护。
  • 并联注意:不建议直接并联多只二极管以提高电流,因正向压降存在差异;若必须并联,应加均流电阻或采用专用并联方案。
  • 开关噪声:在高dv/dt或高速开关中,考虑配合RCD钳位或RC缓冲网络以抑制尖峰与降低EMI。

六、封装与采购提示

  • 型号识别可标注为 CJ ES2D-SMAG(具体管脚与标记以厂家资料为准)。
  • 量产选型时建议索取器件完整数据手册、典型曲线(Vf-T、Ir-T、Trr波形)及可靠性报告,以便进行热仿真与寿命评估。

总结:ES2D 以低正向压降、适中快恢复时间和较低漏电流,在SMAG封装中为中功率、高效率整流场合提供一个性价比较高的选择。设计时重点关注散热和开关浪涌管理,以充分发挥其快恢复与低损耗优势。