型号:

2SC4617

品牌:Slkor(萨科微)
封装:SOT-523
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
2SC4617 产品实物图片
2SC4617 一小时发货
描述:三极管(BJT) 125mW 50V 100mA NPN
库存数量
库存:
3000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0695
3000+
0.0551
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)125mW
直流电流增益(hFE)560@1mA,6V
特征频率(fT)180MHz
集电极截止电流(Icbo)500nA
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@60mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN

2SC4617 产品概述

2SC4617 是萨科微(Slkor)出品的一款小信号 NPN 双极型晶体管,适用于便携式电子、信号放大与高速开关等场合。器件采用超小封装 SOT-523,单只供应,定位为低电流、低功耗但具有较高频率特性的通用 NPN 元件。

一、主要特性

  • 晶体管类型:NPN(硅)
  • 集电极电流(Ic):最大 100 mA
  • 集—射击穿电压(Vceo):50 V
  • 功耗耗散(Pd):125 mW(器件热限需严格考虑)
  • 直流电流增益(hFE):典型 560 @ Ic=1 mA, VCE=6 V
  • 特征频率(fT):典型 180 MHz
  • 集电极截止电流(Icbo):典型 500 nA
  • 集电极饱和电压(VCE(sat)):最大 400 mV @ IC=60 mA, IB=5 mA
  • 射—基击穿电压(Vebo):5 V
  • 工作结温(Tj):-55℃ ~ +150℃
  • 封装:SOT-523(极小封装,便于高密度安装)
  • 品牌:Slkor(萨科微)

二、典型电气性能解读

2SC4617 在低电流区(≈1 mA)表现出很高的静态增益(hFE≈560),适合用作高增益的前置放大器或偏置稳压回路。fT≈180 MHz 表明其在 VHF 频段仍有一定增益,适用于高频小信号放大与快速数字开关。Icbo 约 500 nA 表明在高阻态或断态时漏电较小,利于低功耗电路。需要注意 Vebo 仅 5 V,须避免反向施加过大基极-发射极电压。

三、封装与热管理

SOT-523 为极小封装,便于在空间受限的电路板上布局,但也限制了散热能力。器件 Pd 为 125 mW,实际使用时须考虑环境温度与 PCB 散热条件,进行功耗降额;建议使用较大面积的铜箔引脚、短走线并避免长期在高 Ic 下工作。详细热阻与降额曲线请参考完整数据手册。

四、典型应用场景

  • 便携式与电池供电设备的小信号放大器
  • 高频前置放大(VHF 范围内)
  • 快速开关与逻辑接口驱动(中小电流)
  • 模拟信号的缓冲与电平转换
  • 低功耗传感器信号调理

五、使用建议与注意事项

  • 由于封装与 Pd 限制,不推荐在接近最大 Ic(100 mA)且持续工作条件下使用;若短时脉冲允许短暂较大电流,但需确认瞬时热容与温升。
  • 在需要饱和导通(开关)时,建议参考数据:IC=60 mA 时 IB≈5 mA 可达到 VCE(sat)≈400 mV,通常采用强制 β(βforced)≈10~12 以保证饱和。
  • 严防基极反向电压超过 5 V,以免损伤基-发结。
  • 在高频应用中需重视布线寄生电容与阻抗匹配,尽量缩短输入/输出走线,靠近地平面布置旁路电容。

六、典型电路与偏置参考

  • 共射放大:在低噪声前级可采用浅偏流(IC≈0.5~2 mA)以发挥高 hFE 的优点,发射电阻用于稳定偏置与温度补偿。
  • 发射跟随器:用作阻抗缓冲以驱动低阻负载或作为电平移位器,注意功耗与温升。
  • 开关驱动:若需要驱动接近 60 mA 的负载,请设计足够基极驱动(≈5~8 mA),并考虑驱动级的电流能力与散热。

总结:2SC4617 在极小封装内提供了高增益与较高的频率响应,适合空间受限且对小信号性能要求较高的应用。但因其功耗与封装热能力有限,设计时必须做好热管理与合理偏置以确保长期可靠工作。欲获得完整参数与典型应用电路,请参考厂商详细数据手册。