型号:

XL2009E1

品牌:XLSEMI(芯龙)
封装:SOIC-8
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
XL2009E1 产品实物图片
XL2009E1 一小时发货
描述:DC-DC电源芯片 内置 降压型
库存数量
库存:
3030
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.03
4000+
0.979
产品参数
属性参数值
功能类型降压型
工作电压8V~36V
输出电压1.25V~32V
输出电流3A
开关频率180kHz
工作温度-40℃~+125℃
同步整流
输出通道数1
拓扑结构降压式
静态电流(Iq)2.1mA
开关管(内置/外置)内置
输出类型可调

XL2009E1 产品概述

一、产品简介

XL2009E1 是一款由 XLSEMI(芯龙)推出的高性能降压型(Buck)DC-DC 开关稳压芯片,内置功率开关管并支持同步整流,适用于需要宽输入电压范围与中功率输出的电源设计。芯片工作电压范围为 8V~36V,输出电压可调(1.25V~32V),最大连续输出电流 3A,开关频率 180kHz,工作温度范围 -40℃~+125℃,封装为 SOIC-8,静态电流(Iq)约 2.1mA,单通道设计,适合汽车、工业与消费类电源系统。

二、主要规格(关键信息)

  • 功能类型:降压型(Buck)
  • 输入电压 Vin:8V ~ 36V
  • 输出电压 Vout:1.25V ~ 32V(可调)
  • 输出电流 Iout:3A(最大连续)
  • 开关频率:180 kHz
  • 同步整流:是(集成)
  • 静态电流 Iq:2.1 mA
  • 工作温度:-40℃ ~ +125℃
  • 开关管:内置
  • 输出通道数:1
  • 拓扑结构:降压式
  • 封装:SOIC-8
  • 品牌:XLSEMI(芯龙)

三、关键特性与优势

  • 宽输入电压范围(8–36V),适合汽车 12V/24V 及工业 24V/36V 电源环境。
  • 内置功率开关管与同步整流器,提高转换效率,减小外部元件数量和热量集中。
  • 输出电压从 1.25V 起可通过外部分压电阻精确调节(参考内部基准 1.25V)。
  • 开关频率 180kHz 在效率与外形体积之间做了平衡,便于采用中等体积的电感和电容。
  • 低静态电流(2.1mA)有利于降低空载功耗,适合需待机低耗的系统。

四、典型应用场景

  • 汽车电子(车载稳压模块、车充、车载娱乐设备)
  • 工业控制电源(24V/36V 系统降压)
  • 通信设备电源、嵌入式系统供电
  • LED 驱动与驱动模块(配合恒流或限流电路)
  • 电池管理与便携设备(需注意输入电压与功耗)

五、设计建议与注意事项

  • 输出电压设定:使用外部反馈电阻 R1(接地)与 R2(至输出)按 Vout = Vref × (1 + R2/R1),其中 Vref ≈ 1.25V。
  • 电感选择:以连续导通模式(CCM)为目标,典型电感值范围可取 10µH~33µH(示例:12V→5V、Iout=3A,取 ΔIL≈30%Iout 时 L≈18µH)。电感额定电流应大于峰值电流并具备低直流电阻与低饱和特性。
  • 输入/输出电容:输入侧建议使用低 ESR 电解电容(耐压 ≥50V)并并联陶瓷去耦;输出侧采用低 ESR 电解或固态电容并配以陶瓷滤波,以减小输出纹波并提高瞬态响应。
  • 开关结点(SW)走线应尽量短且宽以降低 EMI,反馈(FB)走线应靠近芯片并远离开关噪声源。GND 建议采用完整地铜层或多点大面积接地,必要时加过孔散热。
  • 散热考虑:内置开关管在高 Vin 高 Iout 条件下会产生较大热量,SOIC-8 封装热阻相对较高。建议增加 PCB 铜箔散热面积、用热过孔连接底层大地铜,必要时加入散热片或保持良好自然/强制对流。
  • 保护特性:常见设计会集成过流限制、热关断、欠压锁定等保护,但具体参数请参考器件完整数据手册以确认并配合外部保护电路设计。

六、封装与可靠性提示

SOIC-8 封装适合自动贴装与常规回流工艺,但在高功率应用需注意焊盘热设计。建议在 PCB 布局时为芯片预留充足散热铜箔并使用多点焊盘连接地,以降低结温并延长可靠性。产品应用于汽车或工业环境时,应采取合适的输入滤波与浪涌抑制措施以提高系统鲁棒性。

总结:XL2009E1 以其宽输入、可调输出、内置开关与同步整流特性,提供对中等功率(最高 3A)降压供电的可靠解决方案。合理选型外部电感、电容和注意 PCB 布局与散热,可在汽车与工业等苛刻环境中获得稳定、高效的电源输出。若用于量产或关键应用,请以正式数据手册为准并进行必要的热与电磁兼容性验证。