NCE10TD60BD — 产品概述

一、产品简介

NCE10TD60BD 为新洁能（NCE）推出的场截止型（FS）IGBT，额定集-射极击穿电压Vces=600V，持续集电极电流Ic=20A，适用于中高压开关场合。器件封装为TO-263（D2PAK），便于表面贴装和散热处理，耗散功率Pd=83W（在规定散热条件下）。

二、主要电气参数

• Vces (V)：600V
• Ic (A)：20A
• Pd (W)：83W
• VCE(sat)：1.9V @ Ic=10A, Vge=15V
• Vge(th)：4V @ Ig=1mA
• Qg：44nC @ Vge=15V
• Cies：1.127nF；Coes：40pF；Cres：24pF
• Ifm（正向脉冲电流）：30A
• 开/关延迟：Td(on)=20ns，Td(off)=73ns
• 开/关能量损耗：Eon=210µJ，Eoff=110µJ
• 反向恢复时间Trr=158ns

三、性能特点

• 600V耐压与20A连续电流能力，适合中功率转换与驱动应用。
• 低VCE(sat)（1.9V@10A）可减小导通损耗，提高效率。
• 较小的输出与传输电容（Coes、Cres）和中等Qg（44nC）使得器件在开关速度与驱动功率之间取得平衡，适合要求中等开关频率的场合。
• 开关损耗由Eon/Eoff给出，Eoff相对较小，有助于降低关断瞬态能耗。

四、典型应用场景

• 太阳能逆变器、充电桩逆变/整流模块
• 电机驱动与工业变频器（中功率）
• 开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）
• 焊机、感应加热等需要600V耐压和中等开关速度的功率转换设备

五、驱动与选型建议

• 推荐栅极驱动电压约12–15V（规格数据以15V条件下测试），栅极阈值约4V，应保证关断时Vge回到0V以下以避免误导通。
• Qg=44nC 表明驱动器需提供瞬时较大电流才能实现快速转态；例如1A驱动电流约对应44ns的理论充电时间，可根据系统要求与Eon/Eoff折中选择合适的门极电阻（一般从几欧姆到几十欧姆范围选择）。
• 反向恢复时间Trr=158ns，建议在含续流二极管或吸收网络的拓扑中考虑二次峰值和振荡抑制，必要时加RC吸收或缓冲器件以保护器件和减小电磁干扰。
• 布局要点：缩短信号与功率回路环路面积，门极走线尽量短且靠近器件，设置良好接地与散热路径。

六、封装与散热、可靠性

TO-263 封装便于与散热片或PCB散热铜箔结合使用。Pd=83W 为额定耗散能力，但实际应用中需根据工作温度、散热条件和热阻计算安全工作点并预留裕量。高频开关应用应关注封装热阻与散热设计，防止结温超过器件额定值以延长可靠性和寿命。

总结：NCE10TD60BD 为一款面向中高压、中功率转换的场截止型IGBT，兼顾较低导通损耗与可控的开关性能，适合逆变、电源和电机驱动等应用。选型与驱动时应重点考虑栅极驱动能力、散热设计及续流/吸收方案。