型号:

SMBJ33A

品牌:TWGMC(台湾迪嘉)
封装:SMB
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SMBJ33A 产品实物图片
SMBJ33A 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管 ESD抑制器/TVS二极管 SMB 53.3V 11.3A
库存数量
库存:
4114
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.124
3000+
0.099
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)33V
钳位电压53.3V
峰值脉冲电流(Ipp)11.3A@10/1000us
峰值脉冲功率(Ppp)600W@10/1000us
击穿电压40.6V
反向电流(Ir)1uA
工作温度-65℃~+150℃
类型TVS
Cj-结电容390pF

SMBJ33A — TWGMC 单向瞬态抑制二极管(TVS)产品概述

一、简介

SMBJ33A 为 TWGMC(台湾迪嘉)制造的单向 TVS(瞬态抑制二极管),采用 SMB(DO‑214AA)封装,专用于抑制电源及信号线上的瞬态过压与浪涌冲击。器件设计用于在瞬态事件(如雷击、开关瞬变、ESD)发生时快速钳位电压,保护下游电子元件免受损坏。

二、主要电气参数

  • 极性:单向
  • 反向稳态电压 Vrwm:33 V
  • 击穿电压(Vbr):40.6 V(典型)
  • 钳位电压 Vc(Ipp):53.3 V
  • 峰值脉冲电流 Ipp:11.3 A @ 10/1000 μs 波形
  • 峰值脉冲功率 Ppp:600 W @ 10/1000 μs
  • 反向漏电流 Ir:1 μA(额定条件)
  • 结电容 Cj:390 pF(典型)
  • 工作温度范围:-65 ℃ ~ +150 ℃

三、产品特性与优势

  • 高能量吸收能力:在 10/1000 μs 波形下可承受 600 W 峰值功率及 11.3 A 峰值脉冲电流,适合工业级浪涌防护。
  • 低反向漏电:典型漏电仅 1 μA,满足对静态耗电敏感的应用。
  • 宽工作温度范围:适用极端环境与汽车级附近场景。
  • SMB 封装:体积适中,易于波峰/回流焊工艺安装,适配常规 PCB 布局。

四、典型应用场景

  • DC 电源线浪涌保护(直流电源总线、适配器输出)
  • 工业控制设备、电源模块、逆变器等高能瞬态环境
  • 通信与网络设备的电源防护(注意结电容对高速信号的影响)
  • 汽车电子(对工作电压与温度有更高要求的子系统)

五、选型与布局注意事项

  • 确认 Vrwm(33 V)高于系统正常工作电压并留有裕量;若系统工作电压接近 Vrwm,可能触发器件工作。
  • 钳位电压 53.3 V 为瞬态钳位值,需确认下游器件能承受此电压峰值。
  • 结电容 390 pF 较大,影响高速信号—不建议用于需低电容的高速数据线直接保护。
  • 单向器件在电路中正向连接方式:带色环的一端为阴极,通常接向电源正端,另一端接地(负端);请按器件手册确认引脚标识与极性。

六、存储、焊接与可靠性提示

  • 建议按常规 SMT 元件存储条件保存,避免潮湿;若为吸湿敏感等级,请参照元件出厂说明进行烘烤。
  • 支持回流焊,但应遵循厂商给出的焊接温度曲线以保证可靠性。
  • 在工程设计中配合熔断器、限流器件或浪涌吸收网络,可进一步提升系统的整体防护能力。

如需完整的器件数据手册(含最大额定值、典型特性曲线、封装尺寸与焊接曲线),建议联系 TWGMC(台湾迪嘉)或经销商索取 SMBJ33A 的官方技术资料以便做最终设计验证。