SPW55N80C3 产品概述

一、产品概述

Infineon SPW55N80C3 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss=850V，面向高压开关应用设计。器件以 TO‑247 封装提供，适用于需要大电流承载与耐高压特性的电源和逆变器前端。

二、主要电气参数

• 漏源电压：850V
• 连续漏极电流：54.9A（器件极限/离散应用需热设计）
• 导通电阻 RDS(on)：85mΩ @ VGS=10V（测量电流 32.6A）
• 阈值电压 VGS(th)：3.9V
• 总栅极电荷 Qg：288nC @ 10V（栅驱负载较大）
• 输入电容 Ciss：7.52nF @ 100V；反向传输电容 Crss：277pF @ 400V
• 功耗 Pd：500W（需结合散热条件与环境温度）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

三、关键特性与设计注意

• 高耐压（850V）使其适合离线开关电源、功率因数校正（PFC）、光伏逆变器和电机驱动等高压领域。
• 较高的 RDS(on)（85mΩ）在大电流工况下会带来显著导通损耗，设计时需按照 I^2·R 计算热耗并预留足够散热。
• Qg（288nC）与 Ciss（7.52nF）均偏大，要求栅极驱动器提供较大的峰值电流以实现快速开关；若驱动能力不足，可通过增大栅阻或减缓开关速度来降低开关损耗与 EMI，但会增加切换损耗。
• Crss（277pF）影响米勒效应，在高 dv/dt 场景需注意误触发，合理选择门极电阻和添加门极驱动缓冲/钳位有利于稳定开关过程。

四、封装与热管理

TO‑247 封装便于安装大面积散热器，适合螺栓固定和使用导热硅脂/绝缘垫。Pd 指标受频带和散热条件显著影响，实际应用中应做热阻与功耗仿真，保证结温在安全范围内，并注意焊接与机械安装扭矩规范。

五、典型应用与选型建议

• 建议用于 400V 以上的离线开关电源、PFC、逆变前端及工业电源。
• 若目标为高效率、低导通损耗的中低压产品，可优先考虑更低 RDS(on) 的器件；若强调高压、耐电压与成本平衡，则 SPW55N80C3 是合适选择。
• 栅极驱动器应能提供几安培的峰值电流，外加可调栅阻（典型 5–20Ω）用于阻尼与开关速度控制；必要时并联栅极电荷回收或主动驱动以降低驱动损耗。

以上信息基于器件主要参数提炼，为设计选型与电路实现提供方向。实际设计请参考完整版数据手册并进行热、开关与 EMC 验证。