型号:

YJQ20N04A

品牌:YANGJIE(扬杰)
封装:DFN(3.3x3.3)
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
YJQ20N04A 产品实物图片
YJQ20N04A 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 21W 40V 20A 1个N沟道
库存数量
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3058
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.5508
5000+
0.50004
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))11mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)21W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)23.6nC@10V
输入电容(Ciss)917pF@20V
反向传输电容(Crss)108pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)128pF

YJQ20N04A 产品概述

一、产品简介

YJQ20N04A 是扬杰(YANGJIE)推出的一款高性价比 N 沟道功率 MOSFET,额定漏源电压 40V,连续漏极电流 20A,耗散功率 21W,适用于 12V/24V 等中低压电源系统与开关应用。器件采用 DFN(3.3×3.3mm) 小型封装,工作温度范围宽(-55℃ ~ +150℃),兼顾功率密度与可靠性。

二、主要电气参数

  • 类型:N 沟道 MOSFET
  • Vdss(漏源电压):40V
  • Id(连续漏极电流):20A
  • RDS(on)(导通电阻):11mΩ @ Vgs=10V, Id=20A
  • Vgs(th)(阈值电压):约 1V
  • Qg(总栅极电荷):23.6nC @ Vgs=10V
  • Ciss(输入电容):917pF @ 20V
  • Coss(输出电容):128pF
  • Crss(反向传输电容):108pF @ 20V
  • Pd(最大耗散功率):21W
  • 封装:DFN 3.3×3.3 mm

三、性能特点与优势

  • 低导通电阻(11mΩ@10V)在高电流工作点下能显著降低导通损耗,20A 连续时导通损耗约为 I^2·R ≈ 4.4W。
  • 中等栅极电荷(23.6nC)在切换速度与驱动需求间达到平衡,便于采用通用驱动器驱动。举例:在 100kHz 切换频率下,平均栅极驱动电流约为 Qg·f ≈ 2.36mA;若希望 50ns 上升时间,瞬时栅极峰值电流约为 Qg/tr ≈ 0.47A。
  • 较小的输出与反向传输电容(Coss、Crss)有利于降低部分开关损耗与栅极漂移问题,便于高效转换拓扑设计。
  • 宽温工作范围(-55~150℃)满足工业与车规级边界应用要求(需结合系统热设计验证)。

四、典型应用场景

  • 车载 12V/24V DC-DC 升降压、同步整流
  • 开关电源(SMPS)、负载开关与逆变器输入侧
  • 电机驱动、DC-DC 转换器、功率管理模块
  • LED 驱动、电池保护与能源存储系统中的开关元件

五、使用与 PCB 版图建议

  • DFN 封装需在 PCB 设计中提供充足的散热焊盘与多层铜箔热通道,建议在沉铜焊盘下布置若干热过孔以增强底板散热。
  • 布线尽量缩短功率回路(Drain-Source)和栅极驱动回路,减小寄生感抗,避免振铃与 EMI。
  • 在栅极串联小电阻(建议几十欧姆至几百欧姆,视驱动速度与振铃情况而定)以抑制开关瞬态以及配合驱动器稳定性。
  • 对于吸收反向能量或降低电压尖峰,可并联 RC 或 TVS 器件在需要的场合使用。

六、驱动与热管理建议

  • 推荐使用接近 10V 的栅压以获得标称 RDS(on);若使用逻辑电平驱动(如 5V),需评估 RDS(on) 上升对功耗的影响。
  • 驱动器应能提供短时间内数百 mA 的峰值电流以实现快速切换(降低开关损耗),同时满足系统 EMI 要求可通过栅阻调节上升/下降时间。
  • 虽然器件 Pd 为 21W,但实际可用功率取决于 PCB 散热条件与环境温度,建议在高电流/长期工作场景下做好热仿真与实测验证。

七、注意事项与可靠性

  • 使用时注意最大结温与热阻链路,避免长期接近极限耗散导致寿命下降。
  • 在有反向恢复或感性负载的场合,注意器件本体体二极管的反向恢复特性以及可能产生的过冲。
  • 在高频切换与高 dV/dt 场合,关注 Crss 引起的米勒效应,必要时提高栅极驱动能力或增加米勒阻尼措施。

总结:YJQ20N04A 以 40V/20A 的规格、低 RDS(on) 与适中的栅极电荷,为中低压开关应用提供了可靠且易于驱动的方案。通过合理的驱动匹配与 PCB 散热设计,可在多种电源与电机驱动场景中实现高效与稳定的工作表现。