1N5819（YANGJIE 扬杰）产品概述

一、产品简介

1N5819 是一款通用肖特基（Schottky）整流二极管，扬杰（YANGJIE）提供的该型号采用 DO‑41 轴向穿孔封装，面向整流、保护与开关电源等应用。其主要特点是正向压降较低、回复速度快、抗浪涌能力良好，适合中等电流的电源与保护电路。

主要标称参数（按提供数据）：

• 二极管数量：1 个独立式
• 正向压降 Vf：600 mV @ 1 A
• 直流反向耐压 Vr：40 V
• 额定整流电流 If(AV)：1 A
• 反向漏电流 Ir：200 μA @ 40 V
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：30 A
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +125 ℃
• 封装：DO‑41（轴向）

二、关键电气特性解读

• 正向压降（Vf）：600 mV 在 1 A 条件下属于典型肖特基特性，比普通硅整流器低，能减少整流损耗和发热。实际电路中 Vf 会随温度与电流变化，低温时略高，高温时略低。
• 反向耐压（Vr）：40 V，适合 12V/24V 等常见电源环节的整流与保护，但不宜用于高压应用（如 >40V 的系统）。
• 反向漏电流（Ir）：200 μA @ 40 V，此值在肖特基中偏大，需注意在高温或高阻抗电路（例如电池检测、传感器前端）中产生的漏耗与偏置误差。
• 浪涌能力（Ifsm）：30 A，能承受一定的非重复峰值浪涌（如上电突发浪涌或整流器短时冲击），具体测试波形与时长以厂方资料为准。
• 功率与热：在 1 A 工作点，器件功耗约为 P = Vf × I = 0.6 W，持续工作需关注封装散热与环境温度，避免结温超限。

三、封装与机械特性

DO‑41 为轴向引线的穿孔封装，易于手工焊接与波峰/选择性焊接安装，适合中小批量或维修场景。封装尺寸允许在 PCB 或面包板上灵活布局。引脚极性通常在器件一端有标记（注：装配时注意确认阳极/阴极方向）。

四、典型应用场景

• 开关电源（降压/升压）整流与续流二极管（尤其对快速恢复与低压降有利）
• 反向极性保护（汽车、工业电源输入端）
• 功率整流（12V/24V 电源）
• 二极管保护/钳位（抑制反向尖峰、快速钳位开关节点）
• 充电与逆变器小电流回路

五、设计与使用注意事项

• 漏电流影响：200 μA 的反向漏电在某些高阻抗或低功耗电路中可能不可忽视，设计时需评估漏电对电平检测与功耗的影响。
• 温度影响：肖特基的漏电流随温度迅速上升，若工作环境高温，反向漏电会显著增加，应留裕量或选用更低漏电型号。
• 散热管理：连续 1 A 工作并伴随 0.6 W 发热，若设备长期高功率运行，应考虑增强散热（加散热铜箔、降低环境温度或选用更大功率封装）。
• 浪涌与保护：Ifsm 为非重复峰值，不能作为持续脉冲或重复浪涌的保证。对频繁冲击场景，应考虑并联或选型更高浪涌能力的器件，并结合熔断器/浪涌抑制器使用。
• 极性与布局：DO‑41 封装引线较长，布局时注意最短路径与合理走线以减少寄生电感与接触电阻。

六、可靠性与环境适应

工作结温范围 -55 ℃ ~ +125 ℃ 适用于工业级应用。肖特基结构对高温更为敏感，长期高温会影响反向漏电与可靠性。对潮湿与温度循环的应力测试应参考扬杰供货的完整可靠性报告（如 HTRB、温度循环、湿热等）。

七、选型与替代建议

• 若系统电压低于 20 V，可考虑 1N5817（20 V 级）以获得更低 Vf/更低漏电。若需要更高耐压，1N5818（30 V）与 1N5819（40 V）为系列选项（按具体型号参数确认）。
• 对漏电敏感的应用，优先选用低漏电肖特基或考虑使用普通硅肖特基取舍（但注意 Vf 变化）。
• 若需要更高的持续电流或更低 Vf，可选更大封装或功率级肖特基（如 SMC/DO‑214 等）。

八、储存与焊接建议

• 储存：避光、干燥、常温保存，防止潮湿导致焊接缺陷或长期参数漂移。
• 焊接：DO‑41 支持手工及波峰焊，注意不要长时间高温加热半导体结，若无厂方焊接曲线，建议使用常规温度/时间（快速加热、短时间回流）并避免直接焊接到结体上以减少热损伤。

总结：扬杰 1N5819（DO‑41）是一款面向中等电流、40 V 级别的通用肖特基整流器，低正向压降和较好的浪涌能力使其在电源整流、反接保护和续流等场景中具有良好性价比。选型时请结合实际工作温度、漏电容忍度与散热条件，并参照厂方完整 datasheet 以获得全部测试条件和限制说明。