S8550-H 产品概述

一、产品简介

S8550-H 是扬杰（YANGJIE）推出的一款小功率 PNP 双极性晶体管，采用 SOT-23 封装，适用于小信号放大与低压开关驱动。器件在 25V 集电极—发射极击穿电压下，可安全工作于 500mA 的集电极电流范围内，兼顾开关与放大场合的需求。

二、主要特性

• 晶体管类型：PNP
• 最大集电极电流 Ic：500mA
• 集—射击穿电压 VCEO：25V
• 耗散功率 Pd：300mW（SOT-23 封装）
• 直流电流增益 hFE：120（Ic=500mA, VCE=1V）
• 特征频率 fT：150MHz，适合高速小信号应用
• 集电极截止电流 Icbo：100nA（典型）
• 集电极饱和电压 VCE(sat)：600mV（典型）
• 射基极击穿电压 VEBO：5V
• 工作温度范围：-55℃ ～ +150℃

三、电气性能与使用建议

在工作于线性区时，按标称 hFE=120 估算，当 Ic=500mA 时基极直流电流约为 4.2mA（Ib≈Ic/hFE）。实际驱动或进入饱和时需增加基极电流，建议根据具体开关损耗与响应时间调整驱动比。器件的 fT=150MHz 表明在高频小信号放大或快速开关场合具有良好响应能力。

四、封装与热管理

SOT-23 小外形带来良好的PCB面积利用率，但器件耗散功率仅 300mW，需注意散热设计。推荐在焊盘周围留足铜箔以降低热阻，避免长时间在高功率或高环境温度下工作；必要时采取带散热层的 PCB 布局或并联使用以分散热量。

五、典型应用

• 小信号放大和前置放大器
• 低压开关驱动与电平转换
• 电池供电设备的保护与控制电路
• 音频放大前级、驱动级应用

六、注意事项

避免对基极施加超过 VEBO=5V 的反向电压；设计时考虑 Icbo 引起的微小漏电流；在高频或高电流条件下验证实际增益与饱和特性，确保器件在安全工作区内使用。

如需选型与样片，可检索型号 S8550-H（YANGJIE），并结合 PCB 热设计与实际应用场景做进一步验证。