型号:

RB751S-40

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOD-523
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
RB751S-40 产品实物图片
RB751S-40 一小时发货
描述:肖特基二极管 370mV@1mA 30V 30mA
库存数量
库存:
12604
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.069336
8000+
0.056916
产品参数
属性参数值
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)370mV@1mA
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流30mA
反向电流(Ir)500nA@30V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)200mA

RB751S-40 产品概述

一、产品简介

RB751S-40 为一款小封装的肖特基势垒二极管,适用于极低正向压降和低电流场合。该器件由 CJ(江苏长电/长晶)品牌提供,封装为 SOD-523,体积非常小,便于高密度表贴电路的空间布局。典型应用包括便携设备的电源路径、信号整流、反向保护与电平检测等场合。

二、主要电气参数

  • 正向压降(Vf):约 370 mV @ If = 1 mA(低电流下表现优秀,减少压降相关损耗)
  • 直流反向耐压(Vr):30 V(可用于一般低压电源与信号线)
  • 最大整流电流(If):30 mA(连续工作电流,适合小功率场合)
  • 反向电流(Ir):500 nA @ 30 V(反向漏电小,有利于待机和低功耗设计)
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):200 mA(允许短时浪涌,但不可作为长期承载)
  • 封装:SOD-523(超小型表贴封装,适合高密度 PCB 布局)

三、主要特点与优势

  • 低正向压降:在 1 mA 工作点上仅约 0.37 V,适合要求低压降的电源路径或信号整流,能降低功耗与发热。
  • 低反向漏电:在最大反向电压下反向电流仅数百纳安,适用于待机电流敏感的便携设备与电池供电系统。
  • 小封装:SOD-523 体积小,便于空间受限的移动终端与消费电子产品。
  • 适合小功率场合:30 mA 连续电流与短时 200 mA 浪涌能力,满足一般信号和弱电源保护需求。

四、典型应用场景

  • 电池反向接入保护与反向电源保护(低压差、降低功耗)
  • 小电流整流与二极管逻辑隔离(例如检测、参考路径)
  • 信号线的钳位或保护元件(对瞬态浪涌具有限度承受能力)
  • 便携式与穿戴类产品的电源管理与低功耗电路

五、设计与使用建议

  • 额定整流电流为 30 mA,长时间工作或高环境温度下应适当降低负载电流以避免热失控。
  • 浪涌能力为 200 mA(非重复峰值),用于瞬态保护时仍需谨慎,不宜作为常态承载标准。
  • 在高温环境下反向漏电会增加,若电路对漏电极其敏感,应在实际温度条件下验证。
  • 封装极小,应注意焊接与回流工艺,遵循厂商推荐的贴片与回流规范以保证可靠性。
  • 布局时将二极管靠近被保护器件或电源引出点放置,缩短导线长度以降低寄生阻抗与串联电感。

六、可靠性与存储

  • SOD-523 为常见表贴封装,适用标准 SMT 回流工艺。为保证器件可靠性,请按厂商提供的焊接及储存湿敏等级(MSL)说明进行操作与储存。
  • 在装配与调试阶段注意静电防护与机械应力,避免在焊接或维修过程中损伤器件。

总结:RB751S-40 是一款面向低电流、低压降、小尺寸应用的肖特基二极管,适合便携式、消费电子与低功耗电路中的整流与保护需求。设计时关注持续电流、散热与高温下的漏电特性,可发挥其在节能与空间受限场合的优势。