SK26（CJ/长晶）肖特基二极管——产品概述

一、概述与主要参数

SK26 是一款由 CJ（江苏长电/长晶）生产的肖特基整流二极管，采用 SMBG 表面贴装封装，面向中等功率整流与保护应用。主要电气参数如下：

• 正向压降（Vf）：0.85 V @ 2 A
• 直流反向耐压（Vr）：60 V
• 额定整流电流：2 A（连续）
• 反向漏电流（Ir）：100 μA @ 60 V
• 工作结温范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 非重复峰值浪涌电流（Ifsm）：50 A（单次浪涌）

这些参数表明 SK26 属于典型的 2 A/60 V 肖特基整流二极管，兼顾低正向压降和中等耐压能力，适合开关电源、整流与保护电路中的快速整流或钳位应用。

二、主要特点与性能亮点

• 低正向压降：在 2 A 条件下 Vf 约 0.85 V，可显著降低整流损耗与发热，相比普通硅整流器在低压差环境下更具优势。
• 快速响应：肖特基结构没有传统 PN 结的少量反向恢复，适合高频开关场合，减少开关损耗与电磁干扰。
• 中等浪涌能力：Ifsm 50 A 可应对一定的瞬态冲击与整流器的浪涌电流（如电源开机瞬态），但不适合频繁的大电流冲击。
• 宽温度工作范围：-55 ℃ ～ +150 ℃ 的结温范围，适合工业级与汽车级边界场合（具体应用前请核对完整可靠性规格与认证）。

三、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）的输出整流与续流二极管。
• 功率适配器、充电器中的整流与保护。
• 直流-直流变换器中的快速钳位/续流路径。
• 太阳能逆变/充电系统、汽车电子（需确认车规认证）中的防反接与低损耗整流。
• 一般功率整流、反向保护电路、低压大电流路径。

四、设计与使用注意事项

• 功耗与散热估算：在额定电流 2 A 下，若 Vf = 0.85 V，则单管近似功耗为 P = Vf × I = 1.7 W。此功耗需通过 PCB 铜箔面积和散热设计（或外加散热件）来有效管理，以防结温超限。
• 结温与电流折算：厂家额定通常在一定环境温度和散热条件下给出，实际使用中应对工作电流做温度方向的降额处理，尤其在长期高温工况下。
• 反向漏电流影响：Ir = 100 μA @ 60 V 对于高阻抗或计量精度要求高的电路可能不可忽视，应考虑是否需更低漏电的器件。漏电随温度上升会增大。
• 峰值浪涌限制：Ifsm 为非重复峰值 50 A，适用于短时间冲击，但不适合频繁或长时间高幅值浪涌。对有大量输入浪涌或启动冲击的应用，应增加限流或浪涌吸收措施。
• 反向电压裕度：尽管 Vr = 60 V 足以满足许多 12 V/24 V 系统，但在有高压反向脉冲或浪涌的环境中，建议留有 20%～30% 余量或加吸收/抑制网络保护。

五、封装与可靠性

SMBG 封装（表面贴装，较大散热面）便于自动化装配与焊接，适合中等功率 PCB 布局。实际可靠性与寿命与焊接工艺、焊盘设计、PCB 散热面积及工作结温密切相关。建议遵循制造商的回流焊曲线与存储/防潮要求。

六、选型与替代比对要点

选择 SK26 时考虑：

• 额定电流与实际平均/峰值电流是否匹配；
• 正向压降对系统效率与热预算的影响；
• 允许反向电压是否足够并留有裕度；
• 反向漏电是否在可接受范围；
• 封装尺寸与 PCB 布局散热能力。
  若需更低漏电或更高耐压，可考虑其他型号（如更高 Vr 或更低 Ir 的肖特基或快速恢复二极管）；若需更高电流则选用更大封装或并联设计（并联需小心均流问题）。

七、补充与建议

在最终方案中建议获取并参考 CJ 官方完整数据手册（datasheet），核实电气特性随温度的变化曲线、典型热阻值和回流焊规范。如需，我可以帮您计算在特定 PCB 铜箔面积和环境温度下的预计结温，或者比较几个替代型号的性能差异。