型号:

TLP183(TPL,E(T

品牌:TOSHIBA(东芝)
封装:SOP-4
批次:23+
包装:未知
重量:-
其他:
-
TLP183(TPL,E(T 产品实物图片
TLP183(TPL,E(T 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 TLP183(TPL,E(T
库存数量
库存:
5
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.37
3000+
1.3
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.25V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)3.75kV
直流反向耐压(Vr)5V
负载电压80V
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@2.4mA,8mA
上升时间(tr)2us
工作温度-55℃~+125℃
电流传输比(CTR)最小值50%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值600%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)50mA

TLP183(东芝)晶体管输出光耦 — 产品概述

一、产品简介

TLP183 是东芝(TOSHIBA)出品的一款晶体管输出型光电隔离器,输入为直流 LED,输出为光耦晶体管(Phototransistor)。该器件提供高达 3.75 kVrms 的输入输出隔离电压,适用于需要电气隔离和信号传输的工业与消费电子场合。封装为 SOP-4,便于表面贴装与电路板布局。

二、主要特性

  • LED 正向压降 (Vf):约 1.25 V(典型值)。
  • 最大 LED 正向电流 (If):50 mA(脉冲或短时驱动需留意热极限)。
  • 输出集电极电流:最大 50 mA;输出耐压(负载电压)可达 80 V。
  • 隔离耐压:3.75 kVrms(加强的安全隔离能力)。
  • 直流反向耐压 Vr:5 V(LED 反向保护参考)。
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):≈300 mV(给定测试点 2.4 mA、8 mA 时测得)。
  • 电流传输比 CTR:最小 50%,最高可达 600%(随 If 与测试条件幅度变化较大)。
  • 上升时间 tr:约 2 μs,适合中速开关应用。
  • 工作温度:-55 ℃ 至 +125 ℃。
  • 总功耗 Pd:200 mW(器件与封装的热限制需关注)。

三、典型电气参数与使用建议

TLP183 的 CTR 随 LED 驱动电流与负载条件幅度变化显著——在低 If 时 CTR 接近规格下限(>=50%),在适当驱动下可达到数百百分比。设计时应按所需输出电流反推 LED 驱动电流,例如目标 Ic=10 mA、CTR=100% 时需 If≈10 mA。VCE(sat) 低(≈0.3 V)有利于降低导通损耗。上升时间 2 μs 表明器件适合控制信号、逻辑隔离与一般 PWM,但不适合高频高速数据链路。

四、应用场景

  • 微控制器与高压电路之间的信号隔离与接口驱动。
  • 开关电源的反馈环路隔离。
  • 电机驱动与电源控制中的状态检测。
  • 工业控制、医疗仪器与家电产品中的安全隔离应用。

五、封装与热管理

SOP-4 表面贴装封装方便自动化生产,但因 Pd 仅 200 mW,长期大电流 If 或高环境温度下需注意散热与退耦。布局时保证足够的 PCB 散热面与器件间距,同时满足沿面距离与爬电距离以保持隔离等级。

六、选型与注意事项

  • 若需长期大电流驱动,评估器件温升并考虑并联或改用更高功率器件。
  • CTR 范围宽,实际设计应根据最差条件(最低 CTR)来保证输出电流裕量。
  • 若用于高速信号,考虑光耦的响应时间和可能的等效电容引起的延迟。
  • 确认实际应用中的负载电压、耐压与隔离等级需求,合理选择 TLP183。

总体而言,TLP183 以其高隔离电压、较宽的 CTR 范围和紧凑 SOP-4 封装,适合多种需要安全隔离和中速信号传输的场合,是一种通用且可靠的光电隔离解决方案。