TD350ETR 产品概述

一、概述

TD350ETR 是 ST（意法半导体）用于高边驱动的单通道栅极驱动器选型，面向驱动 IGBT 和功率 MOSFET 的应用场景。该器件在 12V~26V 工作电压范围内工作，能够提供较强的瞬态源/漏电流驱动性能，适合中高功率开关电源、电机驱动和逆变器等需要快速切换和可靠隔离驱动的场合。器件温度范围覆盖 -40℃ 至 +125℃，封装为 SO-14，便于在常见 PCB 工艺中使用。

二、关键技术参数

• 驱动配置：高边（High-side）
• 负载类型：IGBT / MOSFET
• 驱动通道数：1 通道
• 源电流（IOH）：1.5 A（拉电流）
• 汲电流（IOL）：2.3 A（灌电流）
• 工作电压（VCC）：12 V ～ 26 V
• 上升时间（tr）：约 130 ns
• 下降时间（tf）：约 75 ns
• 工作温度范围：-40℃ ～ +125℃
• 封装：SO-14

三、主要功能与优势

• 针对 IGBT/MOSFET 优化的瞬态驱动能力：1.5A 源、2.3A 汲电流能在较短时间内对栅极充放电，实现所列上升/下降时间指标，利于降低开关损耗与开关区停留时间。
• 宽工作电压范围：12V~26V 适配多种门极驱动电平，便于与不同驱动策略（如 12V、15V 或 20V 驱动）匹配。
• 宽温度等级：-40℃~+125℃ 满足工业级及高可靠性应用需求。
• 单通道、高边配置：适合单半桥或单相功率级中对高侧器件的独立驱动。

四、典型应用

• 中小功率逆变器与太阳能逆变器的高边栅极驱动
• 伺服/步进电机驱动器中的功率开关单元
• 开关电源（SMPS）中功率级开关元件的驱动
• 不间断电源（UPS）与电机控制器等需要高侧驱动的场景

五、设计与使用建议

• 供电与去耦：VCC 旁靠近芯片放置低 ESR 的去耦电容（如 0.1 µF 与 10 µF 组合），保证短时高电流充放电时的稳定性。
• 栅极电阻选择：利用驱动电流与目标上升/下降时间估算所需等效电阻（近似 Rg ≈ Vdrive / I_driver），例如在 15V 驱动下，若希望限制峰值电流，选择 10Ω 量级的门极电阻常见且有效；实际值需结合被驱动器件的总栅电荷 Qg 和 EMC 要求调整。
• 器件保护：建议在系统中加入欠压检测、短路/过流检测及反向恢复/去饱和保护等外部保护电路，以提高系统稳健性；布局应注意将电流回路与敏感控制信号分离，减少干扰。
• 布局与散热：SO-14 封装应注意地平面回流以及热路径，保证器件结温不超过 125℃，必要时检查 PCB 铜箔面积以改善散热。

六、封装与采购提示

TD350ETR 封装为 SO-14，适配常见 DIP/SO-14 插座与 SMD 贴装工艺。实际设计与采购时建议参考 ST 官方数据手册获取完整引脚定义、电气特性曲线与典型应用电路，以便精确仿真与 PCB 布局。