IHLP6767GZER2R2M11 产品概述

一、核心参数

• 型号：IHLP6767GZER2R2M11（VISHAY / 威世）
• 电感值：2.2 μH，公差 ±20%（实际范围约 1.76–2.64 μH）
• 额定电流：38.5 A
• 饱和电流（Isat）：38 A
• 直流电阻（DCR）：2.25 mΩ
• 封装形式：SMD，外形尺寸 17.2 × 17.2 mm
• 类型：功率电感，面向高电流开关电源应用

二、主要性能与优势

该器件属于 VISHAY 的 IHLP 系列高电流功率电感，适合承载大电流、要求低损耗与稳定电感值的场合。小封装配合较低 DCR 带来较小的 I²R 损耗和较好的效率表现；较高的额定电流和接近的饱和电流说明在高纹波电流或瞬态冲击下仍能维持较稳定的磁特性。SMD 结构利于自动化贴装和可靠的热传导。

三、典型应用

• 同步降压（buck）转化器及点对点（point-of-load）电源
• VRM/CPU、GPU 电源模块与服务器电源
• 通信基站、电信设备电源
• 汽车电子高功率 DC-DC 转换器与能量管理模块
• 工业电源以及需要高电流密度的功率子系统

四、选型与布局建议

• 由于 Isat (38 A) 略低于或接近额定电流，建议在工作电流包含峰值 / 纹波时留有裕量（一般建议 10–20% 余量）以避免磁芯接近饱和导致电感下降。
• DCR = 2.25 mΩ 时，按 I=38.5 A 计算铜损 P = I²·R ≈ 38.5² × 0.00225 ≈ 3.33 W，实际损耗和温升需在系统热设计中验证；若系统热预算紧张，应考虑更低 DCR 或并联方案。
• 布局上应使用宽大的铜箔与充分的过孔/散热层以降低寄生阻抗与提升散热，电感靠近开关器件与电容以缩短环路长度，减小 EMI。
• 建议在样机阶段测量带直流偏置的实际电感值与温升，验证纹波电流下的行为与系统效率。

五、使用注意事项

• ±20% 公差在设计静态/动态滤波时需考虑最差情况（最低电感值）。
• 在高温或长期大电流下，应关注磁芯热稳定性与寿命。
• 为保证焊接可靠性，遵循厂商推荐的回流曲线与焊盘布局。
• 若需更低损耗或更大电流裕量，可咨询替代型号或采用并联/更大封装方案。

总结：IHLP6767GZER2R2M11 为面向高电流、追求低 DCR 的功率电感器件，适合中高功率 DC-DC 转换场合。在选型与布局时应重视饱和裕度与散热处理，以确保长期稳定可靠运行。