IHLP6767DZER3R3M11 产品概述

一、概述

IHLP6767DZER3R3M11 是威世（VISHAY）系列的一款高电流片式功率电感，标称电感值 3.3 µH，公差 ±20%。该器件为 SMD 封装，封装尺寸信息（用户提供）为 17.2 × 17.2 mm，适用于高功率点负载（POL）和开关电源滤波场合。关于电流和直流电阻方面，给出的数据存在两组：一组基础参数显示额定电流与饱和电流均为 14 A，DCR = 9.06 mΩ；另一组描述中显示可达 20.5 A，DCR = 6.64 mΩ。实际选型应以最终器件的出厂数据表为准，但下面的内容将基于以上信息给出应用与设计要点。

二、主要性能参数（基于提供信息）

• 电感值：3.3 µH，公差 ±20%
• 额定电流 / 饱和电流（Isat）：14 A（注：另有测试/描述显示 20.5 A）
• 直流电阻（DCR）：9.06 mΩ（另有测试值 6.64 mΩ）
• 封装形式：SMD，外形大约 17.2 × 17.2 mm（厚度请参考厂方数据表）
• 品牌：VISHAY（威世）

根据上述 DCR，可估算直流损耗（P = I^2 × DCR）：

• 若按 14 A、DCR = 9.06 mΩ：P ≈ 14^2 × 0.00906 ≈ 1.78 W
• 若按 14 A、DCR = 6.64 mΩ：P ≈ 14^2 × 0.00664 ≈ 1.30 W
  （注：若器件实际支持 20.5 A，损耗与温升需按实际电流重新计算）

三、典型应用场景与优势

• 开关电源（DC–DC 降压 / 升压）中的能量储存与滤波，尤其是需要较高工作电流的点负载（PD、GPU、FPGA、通信电源等）。
• 输入/输出滤波器和电源去耦：高电流能力和相对低 DCR 有助于降低功耗与温升。
• 工业电源和汽车电子（需确认工作温度等级与认证）。
  优势：较大的额定电流能力、SMD 便于自动化贴装、对磁场屏蔽与 EMI 有较好控制（视内部结构而定）。

四、PCB 布局与热管理要点

• 充分利用器件引脚下方的铜箔和多层过孔（via）进行热量下导和散热。大电流运行时 DCR 损耗明显，良好散热可以降低温升并延长寿命。
• 将电感靠近开关管和电容布局以缩短高 di/dt 回路长度，减小 EMI。
• 保持器件周围铜面连通性，确保回流路径低阻抗；对多相电源可尽量让电感与 MOSFET、二极管/电容形成紧凑拓扑。
• 评价平台上建议通过热成像或温升测试确认在目标环境下的温度分布。

五、封装与机械特性

• SMD 片式结构，封装为 17.2 × 17.2 mm（厚度与端接形式请以数据手册为准）。
• 建议在装配前查看厂方推荐的焊盘尺寸及回流曲线，避免因回流工艺或机械应力导致可靠性问题。
• 大型 SMD 电感在受力或跌落时敏感，存储与贴装需注意防震与适当承力保护。

六、选型与使用建议

• 确认实际工作电流（直流偏置 + 峰值纹波），并按经验对额定电流进行 20–30% 的降额处理以保证长期可靠性与避免饱和。
• 关注电感在直流偏置和温度下的电感衰减与饱和特性：在高 DC 偏置下电感值会下降，应在目标工作点验证实际电感值。
• 若系统对效率和温升敏感，优先选择 DCR 更低或额定电流更高的型号；若对体积或成本敏感，可在满足电气要求的前提下权衡。
• 对于汽车或工业级应用，确认器件的温度等级、机械冲击/振动指标及相关认证。

七、注意事项与检验

• 实测 DCR、直流电感与 Isat（饱和电流）以校核供货批次是否满足预期（不同批次或测量条件可能有差异）。
• 生产调试时进行热升测试、长期老化及电流冲击测试以验证在极限条件下的稳定性。
• 焊接时遵循厂方回流曲线，避免过高的峰值温度或过长的暴露时间导致磁芯或粘结材料退化。

八、总结

IHLP6767DZER3R3M11 是面向高电流点负载的 SMD 功率电感，标称 3.3 µH，适用于需要大电流、低 DCR 的开关电源与滤波场合。基于提供的两组参数（14 A / DCR 9.06 mΩ 与 20.5 A / DCR 6.64 mΩ），在最终设计中应以厂方数据表为准，并通过实测确认关键参数（DCR、饱和电流、温升）。在 PCB 布局、散热与焊接工艺上做好相应设计和验证，能够充分发挥该器件在高功率应用中的性能优势。