型号:

TLP183(GR-TPL,E

品牌:TOSHIBA(东芝)
封装:SOP-4-2.54mm
批次:24+
包装:编带
重量:0.208g
其他:
-
TLP183(GR-TPL,E 产品实物图片
TLP183(GR-TPL,E 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 DC 光电三极管 50mA 1.25V
库存数量
库存:
2118
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.910149
3000+
0.899
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.25V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)3.75kV
直流反向耐压(Vr)5V
负载电压80V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))300mV@2.4mA,8mA
上升时间(tr)2us
下降时间3us
工作温度-55℃~+125℃
电流传输比(CTR)最小值50%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值600%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)50mA

TLP183 (GR-TPL,E) 产品概述

一、产品概况

TLP183 是东芝(TOSHIBA)生产的一款晶体管输出光耦合器,输入为直流 LED,输出为光电三极管,采用 SOP-4(2.54 mm 间距)封装。器件提供高隔离性能与高增益传递特性,适合在信号隔离、逻辑接口和低功耗开关场合替代光电隔离的需求。

二、主要规格亮点

  • 隔离电压:3.75 kV(rms),满足常见工业与通信隔离要求。
  • 电流传输比(CTR):最小 100%,饱和值可达 600%,高 CTR 意味着在较小的 LED 驱动电流下可获得较大的输出电流增益。
  • 输入/输出特性:正向压降 Vf ≈ 1.25 V,LED 反向耐压 Vr = 5 V;输出允许集电极-发射极电压最高可达 80 V,输出电流可达 50 mA。
  • 开关性能:上升时间 tr ≈ 2 μs,下降时间 tf ≈ 3 μs,适用于中速开关与脉冲信号隔离。
  • 饱和与功耗:VCE(sat) 约 300 mV(在给定测试条件下),总功耗 Pd = 200 mW。工作温度范围宽:-55 ℃~+125 ℃。

三、典型应用场景

  • 数字信号隔离:微处理器与高压侧逻辑电平隔离。
  • 开关接口:驱动继电器、固态继电器输入或作为光耦驱动器与放大器的前级。
  • 工业控制与通信:需要耐高压隔离并且对速度要求中等的场合。
  • 电源管理电路中作为检测/反馈隔离元件。

四、使用建议与注意事项

  • LED 驱动:根据 Vf≈1.25 V 计算限流电阻,避免反向电压超过 5 V。高 CTR 可在较低 IF 下实现所需 IC,但 CTR 随温度与批次有所波动,应留裕量。
  • 输出负载与功耗:单个光耦输出允许最大 IC≈50 mA,但应关注 VCE(sat) 与 Pd 限制,必要时并联器件或使用外部放大器减轻损耗。
  • 开关与抗扰:光电三极管输出对漏电、光衰与辐射敏感,若用于噪声环境建议在输出端加 RC 滤波或上拉电阻以改善抗干扰能力。
  • 热管理与可靠性:高占空比或高电流下注意器件结温与功耗分配,遵循数据手册进行热降额设计。保持输入、输出间足够爬电与间隙距离以保障长期耐压。

五、封装与可靠性要点

SOP-4 小型封装便于 PCB 密集布局,但需要注意焊接工艺对隔离性与长期可靠性的影响。适用于自动化贴片装配,建议在设计 PCB 时同时考虑隔离区的表面清洗与保护层处理,以维持额定的 3.75 kV 隔离性能。

总结:TLP183 以其高 CTR、良好隔离电压和中等开关速度,适合在需低驱动电流且要求电气隔离的多种应用中作为可靠的光耦选择。在实际设计中应综合考虑 CTR 波动、功耗与热管理,以实现稳定可靠的隔离接口。