4N80L-TN3-R 产品概述

一、产品简介

4N80L-TN3-R 是 UTC（友顺）推出的一款高耐压 N 沟道功率 MOSFET，封装为 TO-252-2（DPAK）。器件额定漏源电压 Vdss=800V，适合高压开关场合。器件面向中低电流、高耐压的开关应用，具有良好的耐压能力与便于表面贴装的封装形式，适用于离线电源和高压转换电路的开关元件选择。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：800V
• 连续漏极电流 Id：4A（需按实际散热条件校核）
• 最大耗散功率 Pd：50W（取决于散热与环境温度）
• 导通电阻 RDS(on)：3Ω @ Vgs=10V, Id=2A
• 阈值电压 Vgs(th)：5V
• 栅极电荷 Qg：19nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：680pF；反向传输电容 Crss：8.6pF；输出电容 Coss：75pF
• 封装：TO-252-2 (DPAK)
• 数量：单只（示例规格）

三、产品特点与优势

• 高耐压：800V 的耐压级别适合开关电源初级开关、反激/正激拓扑及高压电路应用。
• 适配表贴封装：TO-252 (DPAK) 便于自动贴装与散热处理，适合中等功率的板级安装。
• 低至3Ω 的导通电阻（在 Vgs=10V 下测得）在高耐压器件中属可接受范围，有利于降低导通损耗（但需注意为 Id=2A 时的测量条件）。
• 中等栅极电荷（19nC）与输入电容（680pF），在中等开关频率下平衡了开关损耗与驱动要求。

四、典型应用场景

• 离线开关电源（反激/准谐振等）初级功率开关
• LED 驱动与照明电源（高压侧开关）
• 工业电源与家电控制电路中需要高电压开关的场合
• 保护电路及需耐受高压脉冲的开关单元

五、使用与布局建议

• 栅极驱动：器件 Vgs(th)≈5V，建议采用 10V 以上栅压以达到标称 RDS(on)；若采用 12–15V 驱动，需确认不超过器件最大 Vgs 限值（datasheet）。
• 开关频率与驱动能力：Qg=19nC 表明在较高开关频率下对驱动器件（驱动电流）有一定要求，驱动器需能提供足够电流以快速充放电栅极，减少开关损耗。
• 抗干扰与保护：为防止感性负载或寄生电感引起的过压，建议在漏极侧配置 RCD/snubber 或 TVS；同时在栅极串入合理的栅阻并并联下拉，抑制振铃与误触发。
• 散热与封装：DPAK 的功耗散热依赖 PCB 铜箔与焊盘设计，应增大底部散热铜箔、使用热铜箔与过孔向多层散热层传导热量；在设计时按 Pd=50W 的额定值并结合实际环境温度、热阻求取安全工作点并进行热仿真或测试。
• PCB 布局：尽量缩短功率回路导线长度，增大焊盘面积并提供良好接地，减少寄生电感与热阻。

六、选型注意事项

• 导通损耗考量：RDS(on)=3Ω 相对较大，若电路长期在较高电流下工作会造成明显功耗，应评估是否匹配应用场景或考虑更低 RDS(on) 的替代品。
• 测试条件核对：规格表给出的 RDS(on)、Id 等参数通常对应特定试验条件（如 Tc、温度），选型时需参考完整 datasheet 并注意温度漂移与极限参数。
• 抗浪涌与击穿能力：高压器件在实际电路中可能承受瞬态能量，若没有明确的能量吸收规格，应在电路中加保护元件，避免器件在未受控的能量冲击下工作。

总结：4N80L-TN3-R 是一款面向高电压、低至中等电流应用的 N 沟道 MOSFET，适合离线电源初级开关与高压转换场合。选用时需结合驱动能力、散热条件与电路保护方案进行整体评估。若需完整电气特性和极限值，请参阅生产厂商完整 datasheet。