DMN61D8LQ-7 产品概述

一、产品简介

DMN61D8LQ-7 是 DIODES（美台）推出的一款 SOT-23 封装 N 沟道 MOSFET，面向小型化、低功耗开关场合。器件额定漏源电压为 60V，适用于中等电压范围的开关与保护电路。器件单元常见于便携设备、功率管理与信号切换等低至中等电流场合。

二、主要技术参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（单个）
• 漏源电压 Vdss：60V
• 连续漏极电流 Id：470mA
• 导通电阻 RDS(on)：1.8Ω @ Vgs=5V
• 耗散功率 Pd：390mW
• 阈值电压 Vgs(th)：1.3V（典型）
• 总栅极电荷 Qg：740pC
• 输入电容 Ciss：12.9pF @ 12V
• 反向传输电容 Crss：0.84pF @ 12V
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SOT-23

三、特性与优势

• 高耐压：60V 的 Vdss 使其适用于较高电压轨的开关与保护。
• 逻辑可触发阈值：Vgs(th)≈1.3V，有利于低电压驱动起始导通。
• 小封装、体积小：SOT-23 适合空间受限设计与自动贴片生产。
• 低 Ciss/Crss：输入与反向传输电容相对较小，有利于部分高频开关场合的稳定性。

四、应用场景

• 低功耗负载开关与断电控制
• 电池管理与便携设备电源路径控制
• 小电流继电器替代、信号切换
• 保护电路（反接保护、浪涌限流）

五、驱动与开关注意事项

• 在 5V 栅极下 RDS(on)=1.8Ω，器件适用于低到中等电流；若需更小导通损耗，应评估更低 Rds(on) 的器件或更高栅压。
• 总栅极电荷 Qg 为 740pC，对驱动能力与开关损耗有影响，驱动器或 MCU 引脚需考虑驱动电流与开关速度。可通过串联栅阻及缓升措施减少振铃与 EMI。
• 对于快速开关应用，请结合 Ciss/Crss 与 Qg 做完整的驱动和损耗计算。

六、热管理与可靠性

• Pd=390mW，在 SOT-23 小封装下热阻较大，长时间连续工作需关注结温与 PCB 散热，必要时在 PCB 上增加铜箔散热或减小占空比。
• 工作温度覆盖 -55℃ 到 +150℃，适合宽温场合，但在高温下器件的导通电阻与最大允许电流会下降，应按温度特性留裕量。

七、使用建议与典型电路

• 作为低侧开关时：在源极接地、漏极接负载、栅极加驱动信号。建议在栅极并联 10nF 的去耦，串联适当栅阻（例如 10–100Ω）以抑制瞬态。
• 过流与热保护：配合电流检测与限流电路，避免长时间在高 RDS(on) 下流过较大电流。
• 若用于高频 PWM，应评估开通/关断损耗并考虑替代器件以降低总损耗。

八、结论

DMN61D8LQ-7 以其 60V 耐压、SOT-23 小体积和适中的阈值电压，适合用于空间受限且电流不大的开关与保护应用。设计时需重视其较高的导通电阻与功耗限制，合理安排驱动与散热方案以保证长期可靠运行。若需要更低导通损耗或更高电流能力，可在器件选型阶段进行对比评估。