型号:

GD32E230G6U6TR

品牌:Gigadevice(北京兆易创新)
封装:QFN-28-EP(4x4)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
GD32E230G6U6TR 产品实物图片
GD32E230G6U6TR 一小时发货
描述:单片机(MCU/MPU/SOC) 1.8V~3.6V 23 6KB 32KB
库存数量
库存:
1551
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.45
3000+
2.35
产品参数
属性参数值
CPU内核ARM Cortex-M系列
CPU最大主频72MHz
程序存储容量32KB
程序存储器类型FLASH
I/O数量23
ADC(位数)12bit
工作电压1.8V~3.6V

GD32E230G6U6TR 产品概述

一、概述

GD32E230G6U6TR 是兆易创新(Gigadevice)推出的一款低功耗、高性价比的单片机产品,适用于空间受限且对能耗与响应速度有要求的嵌入式设备。器件基于 ARM Cortex-M 系列内核,最高主频可达 72MHz,内部集成 32KB 闪存、6KB SRAM,工作电压范围 1.8V~3.6V,可为多种便携和工业级应用提供稳定支持。封装为 QFN-28-EP(4×4),可实现小体积系统设计。

二、主要特性

  • CPU:ARM Cortex-M 系列,最高主频 72MHz,提供良好的运算能力与实时响应。
  • 存储:32KB 程序闪存(FLASH),配合 6KB 数据 SRAM,适合中小型固件和任务。
  • I/O 与模拟:23 个通用 I/O,可满足常见外设连接需求;内置 12-bit ADC,适用于传感器数据采集与模拟量测量。
  • 电源与封装:工作电压 1.8V~3.6V,支持电池供电场景;QFN-28-EP(4×4)小尺寸封装,带底部散热焊盘,利于热管理与 PCB 布局。
  • 存储类型:程序存储为 FLASH,支持在系统升级与固件维护中的常用需求。

三、技术规格(摘要)

  • I/O 数量:23
  • 程序存储类型:FLASH
  • 程序存储容量:32KB
  • SRAM:6KB
  • CPU 内核:ARM Cortex-M 系列
  • CPU 最高主频:72MHz
  • ADC 分辨率:12 bit
  • 工作电压:1.8V ~ 3.6V
  • 封装:QFN-28-EP(4×4)
  • 品牌:Gigadevice(北京兆易创新)

四、外设与接口能力

GD32E230G6U6TR 面向通用嵌入式应用,通常配备丰富的通用串行接口(如 UART、SPI、I2C 等)、定时器、PWM 输出和 GPIO,可用于传感器采集、通信、驱动控制等场景。其 12-bit ADC 能在电池监测、温度与光照等模拟量采集中提供较高分辨率。具体外设数量和映射建议参照器件数据手册进行引脚复用规划。

五、典型应用场景

  • 低功耗物联网节点、无线传感器终端
  • 便携仪表与手持设备(电池供电)
  • 工业控制中的小型控制器与状态采集单元
  • 家用电器与消费类电子的控制核心
  • 人机界面与简单驱动控制系统

六、开发与生态支持

兆易创新提供相关参考手册、器件数据手册和示例代码,器件可兼容主流 ARM 开发工具链(Keil、IAR、GCC 等),常用调试接口为 SWD。建议结合厂商提供的固件库与 BSP 以缩短开发周期。

七、设计与使用建议

  • 电源:在 1.8V~3.6V 范围内设计稳压与滤波,关键电源脚加旁路电容并靠近芯片放置。
  • ADC:模拟输入布线注意屏蔽与参考地,使用适当采样电容与输入阻抗匹配以保证测量精度。
  • 引脚与封装:QFN-28-EP 底部裸露散热焊盘应焊接到 PCB 接地大铜箔以利散热与电气性能。
  • 可靠性:在设计中考虑 I/O 电流限制、ESD 保护与升温条件,重要信号添加滤波与浪涌抑制电路。

总结:GD32E230G6U6TR 以其小封装、低电压工作、高主频及 12-bit ADC 的组合,为对尺寸与功耗敏感的嵌入式应用提供了实用的解决方案。选型与设计时建议参照官方数据手册与参考设计以获得最佳性能与可靠性。