BD16950EFV-CE2 产品概述

一、产品简介

BD16950EFV-CE2 为 ROHM（罗姆）推出的一款半桥栅极驱动器 IC，采用非反相输出结构，集成两路（双通道）驱动，专为驱动 MOSFET 半桥拓扑而设计。器件工作电压范围为 3.0V 至 5.5V，便于与微控制器和低压电源系统直接接口，封装为 HTSSOP-24-EP（5.6mm），带有底部散热焊盘，适合功率密集型应用。

二、主要特性

• 驱动配置：半桥（High-side + Low-side），两路独立驱动，输出与输入非反相；
• 负载类型：专用于 MOSFET 驱动（低侧/高侧栅极）；
• 工作电压：VCC 3.0V ~ 5.5V，兼容常见 MCU 电平；
• 极低静态电流：Iq = 2 μA（待机静态电流极低，有利于电池供电系统）；
• 保护功能：内建欠压保护（UVP）、过流保护（OCP）、过热保护（OTP/OPT）、过压保护（OVP），提升系统可靠性；
• 环境与可靠性：工作温度范围 -40 ℃ ~ +125 ℃，适用于工业级环境；
• 封装：HTSSOP-24-EP-5.6mm，带散热焊盘，便于 PCB 热管理与焊接工艺。

三、典型应用

• 无刷直流电机（BLDC）驱动与伺服控制器半桥级；
• 直流-直流转换器（同步整流或半桥拓扑）；
• 电池管理与便携电源开关控制；
• 家用电器与工业控制中的高效功率开关；
• 需要低待机功耗与高可靠性的嵌入式功率模块。

四、封装与布板建议

• HTSSOP-24-EP 的底部散热焊盘（EP）应焊实于 PCB 大面积铜箔以提高散热能力；建议多层地平面连接以利热扩散；
• 电源侧靠近 VCC 与地端放置去耦电容（陶瓷电容 0.1 μF ~ 1 μF），并尽量靠近器件电源引脚布置，减少回流环路面积；
• 栅极驱动输出到 MOSFET 栅极的走线应尽可能短且阻抗可控，必要时在栅极串联小电阻抑制振荡与限流冲击；
• 高侧浮置节点（若使用自举）需合理布局自举电容与二极管，确保引脚间寄生电感最小。

五、使用建议与注意事项

• 在实际设计中，请参照厂方完整数据手册以确认保护阈值、驱动电流能力、最大栅极电压及功耗等动态参数；本概述仅列出关键功能与建议；
• 欠压保护与过压保护提高了系统安全性，但在系统设计时仍应配合外部电源监测与滤波电路，防止误触发；
• 过流保护行为在不同负载与拓扑下可能表现不同（限制、关断或周期性重试），建议在评估电流冲击与保护响应时进行系统级测试；
• 在高温条件与高频开关环境下，注意器件热耗散并为器件及附近器件留出足够的散热空间；焊盘与过孔布线可辅助散热。

六、采购与资料

BD16950EFV-CE2 为 ROHM 品牌器件，封装型号为 HTSSOP-24-EP-5.6mm。为获得最佳设计结果，请在工程选型与量产前下载并阅读 ROHM 官方数据手册与应用说明，或联系 ROHM 技术支持获取进一步的参考电路与评估板信息。