RQ3P045ATTB1 产品概述

RQ3P045ATTB1 是 ROHM（罗姆）推出的一款面向中功率开关应用的 N 沟增强型功率 MOSFET，额定漏源电压 100V，适用于需兼顾耐压与开关效率的电源和马达驱动场景。封装为 HSMT-8（3.0×3.2mm），在小型化设计中具备良好的热和电气性能平衡。

一、主要特点

• 漏源电压 Vdss：100V，适配 24V~48V 及更高中间总线应用。
• 连续漏极电流 Id：14.5A（封装和散热受限条件下）。
• 导通电阻 RDS(on)：86mΩ @ Vgs=10V，适合中等电流导通损耗需求。
• 栅极电荷 Qg：49nC @10V，需配合合适驱动能力的栅极驱动器。
• 输入/输出/反向传输电容：Ciss=1.99nF、Coss=95pF、Crss=80pF，对开关损耗与栅源耦合影响可控。

二、关键电气参数（概览）

• Vdss：100V
• Id（连续）：14.5A
• RDS(on)：86mΩ @ Vgs=10V
• Pd（功耗耗散）：20W（参考值，受 PCB 散热影响）
• Vgs(th)：2.5V @ Id=1mA（阈值电压，用于参考开通状态）
• Qg：49nC @10V；Ciss：1.99nF；Crss：80pF；Coss：95pF

三、封装与热特性

• 封装：HSMT-8（3×3.2mm），适合表面贴装高密度布局。
• 热管理：封装体积小，建议在 PCB 上使用大片铜面或散热垫，并优化热过孔以提升功耗耗散能力，避免长期在接近额定 Pd 环境下工作。

四、典型应用场景

• DC-DC 升降压转换器、外部开关元件（48V 车规或工业电源）
• 电机驱动前端（中小功率）
• 开关电源、适配器、逆变器的高压侧开关
• 负载开关、电源管理和保护电路

五、设计注意事项

• 栅极驱动：由于 Qg=49nC，建议使用能提供较大电流的驱动器或并联驱动以缩短开关时间，配合合适的栅极电阻抑制振铃与过冲。
• 开关损耗：Ciss 与 Crss 对换向损耗和死区时间敏感，应在布局与驱动上优化以降低开关能耗。
• 保护与缓冲：在高 dv/dt 或感性负载场合考虑增加栅极阻尼、电源旁路与吸收元件（TVS、RC、吸收二极管）保护器件。
• 热设计：在高占空比或高电流工况下，需评估 PCB 铜箔与散热结构，防止封装过热导致性能退化。

六、选型建议与优势

RQ3P045ATTB1 在 100V 等级中提供了平衡的导通电阻与开关特性，适合对体积、成本与效率有综合考量的中功率电源与驱动方案。若系统栅极驱动电压为 10V 并能提供足够驱动电流，本器件能在保持耐压的同时实现较低导通损耗；对于需更低 RDS(on) 或更快开关的应用，可在系统级别权衡封装、并联或选用更低阻值器件。