ESDA12-1K 产品概述（ST，SOD‑523）

一、概述

ESDA12-1K 是意法半导体（ST）推出的一款单向瞬态抑制二极管（TVS），用于对抗静电放电（ESD）和瞬态浪涌（surge）。器件采用极小型 SOD‑523 封装，适合空间受限的便携式电子设备或板级防护设计。该器件在 8/20µs 浪涌波形下具有 16A 峰值脉冲电流能力，并能提供有效的钳位电压保护，是低电压、单通道保护应用的经济型选择。

二、主要电气参数（关键参数一览）

• 极性：单向（unidirectional）
• 反向工作电压 Vrwm：10 V
• 击穿电压 Vbr（典型）：13 V
• 钳位电压 Vc：28 V（在指定脉冲条件下）
• 峰值脉冲电流 Ipp：16 A @ 8/20 µs
• 峰值脉冲功率 Ppp：450 W @ 8/20 µs
• 反向漏电流 Ir：500 nA（静态小电流）
• 结电容 Cj：约 150 pF（典型）
• 通道数：单路
• 工作温度范围：−40 ℃ 至 +150 ℃
• 防护等级/兼容性：满足 IEC 61000‑4‑2 静电放电标准
• 封装：SOD‑523（超小型）

三、产品优势

1. 体积小、适合空间受限：SOD‑523 超小封装便于用于轻薄设备或高密度 PCB 布局。
2. 强抗浪涌能力：8/20µs 下 16A 脉冲电流与 450W 峰值功率，可应对常见的浪涌事件。
3. 低泄漏、低工作电压：10V 的 Vrwm 与 ≤500 nA 的反向电流适合低压电源或 I/O 保护，静态功耗低。
4. 单向结构适合对地或单向电源线保护，且钳位电压 28V 能在浪涌时有效限制电压上升，保护下游电路。

四、典型应用场景

• 手机、平板等便携设备的电源输入/充电口防护
• 低速串行接口与控制信号（GPIO、控制总线）保护（注意结电容影响）
• 小型传感器模块、IoT 终端的板级浪涌和静电保护
• 汽车电子的低压通信或传感器接口（需按车规要求二次验证）

五、设计与选型注意事项

• 结电容影响：Cj ≈ 150 pF，对高速数据线（如 USB3.0、PCIe、HDMI 等）会造成信号完整性问题与带宽衰减。若用于高速差分信号，建议选择低电容 TVS 或专用高速 ESD 二极管。
• 单向特性：ESDA12‑1K 为单向型，适用于有参考地且不会有反向信号的电路（如 DC 电源或单向 I/O）。用于双向信号应选用双向型 TVS。
• 布局建议：器件应尽量靠近需要保护的引脚放置，接地回路要尽可能短且粗，避免长回流路径增加感性耦合。
• 额外限流/串联元件：在一些敏感电路中，可配合适当的串联电阻或共模电感来分担能量并减少对信号的直接影响。
• 热与可靠性：在高能量冲击环境下注意功耗分布及 PCB 散热，SOD‑523 为小封装，重复大能量冲击时要评估长期热应力与可靠性。

六、温度与可靠性

ESDA12‑1K 支持 −40 ℃ 至 +150 ℃ 的工作温度范围，适应工业级及多数商业/消费类应用场景。在实际应用中，应根据系统最大可能的浪涌能量、冲击频次以及封装热阻来评估寿命与失效模式，必要时做加速应力测试或遵循汽车/工业级认证流程。

七、总结与建议

ESDA12‑1K 是一款针对低压单路保护、体积受限场合的经济实用 TVS 器件。它在小封装内提供了可观的 8/20µs 浪涌吸收能力与较低漏电，适合电源线、控制线与低速信号的 ESD/浪涌防护。选型时需注意其较高的结电容与单向特性：对高速或双向信号线应优先考虑低容或双向产品；在高能量环境中应配合合适的布局、接地和限流元件以保证可靠性。

型号示例：ESDA12‑1K（ST，SOD‑523）。如需进一步器件特性曲线、封装尺寸或仿真模型（如 SPICE），可参考 ST 官方数据手册以获得完整规范与典型波形图。