LESD8D3.3CT5G 产品概述

一、产品简介

LESD8D3.3CT5G 是 LRC（乐山无线电）推出的一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于对敏感电子信号线和接口电路提供静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌脉冲保护。器件采用微型 SOD-882 封装，适合对体积和电容有一定要求的高速数据与低压信号应用。器件在正常工作电压下保持高阻态，在发生瞬态过电压时迅速进入导通，将脉冲能量钳位到安全电平，从而保护后端电路元件。

二、主要特性

• 极性：双向（适合双向信号或可能出现正负脉冲的应用场合）
• 反向截止电压（Vrwm）：3.3 V（标称工作电压）
• 击穿/触发电压：约 5 V
• 钳位电压（Vclamp）：14.1 V（Ipp = 11.2 A，8/20 μs 波形）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：11.2 A @ 8/20 μs
• 峰值脉冲功率（Ppp）：150 W @ 8/20 μs
• 反向漏电流（Ir）：典型 1 μA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容（Cj）：约 25 pF（适用于多数高速信号线，但在超高速低容敏感设计需注意）
• 工作温度范围：-40 ℃ 至 +125 ℃
• 防护等级与认证：满足 IEC 61000-4-2（ESD）与 IEC 61000-4-4（EFT）相关要求
• 封装：SOD-882，表面贴装

三、电气性能说明

• 正常工作状态：当线电压低于 Vrwm（3.3 V）时，器件保持高阻，几乎不影响线路工作，反向漏电流约 1 μA，适合低功耗设计。
• 触发与钳位：当瞬态事件（如 ESD、浪涌）将电流推入器件时，TVS 在接近击穿电压（≈5 V）时导通，将浪涌能量钳位到约 14.1 V（在 Ipp 测试条件下）。该钳位电压保证后端电路在瞬态事件中不被更高电压损坏。
• 能量吸收能力：在 8/20 μs 标准脉冲波形下，可承受 11.2 A 峰值脉冲电流和约 150 W 峰值功率，适合常见工业级 ESD/EFT 与瞬态浪涌防护场景。
• 电容影响：典型结电容 25 pF，在高速信号链（如 USB、串行差分链路）中应考虑对信号完整性的影响；对于极低容抗要求的射频或超高速差分线需评估是否满足系统要求。

四、封装与机械信息

• 封装类型：SOD-882（SMT），体积小、引脚间距适中，便于在有限板面空间内靠近保护点布置。
• 适配工艺：适用于无铅回流焊工艺（符合通用 SMT 工艺要求），推荐在设计时预留紧贴被保护引脚的焊盘位置以减少串联阻抗与寄生电感。

五、典型应用场景

• USB、HDMI、LVDS、MIPI 等高速接口的输入端保护（尤指需要双向保护的差分信号）
• 手机、平板、笔电等便携设备的外部接口与天线馈线防护
• 工业控制器、传感器接口、通讯模块的ESD/EFT防护
• Automotive 辅助电子和车载信息娱乐系统中对短时高能脉冲的保护（需结合系统级认证评估）

六、PCB 布局与使用建议

• 尽量将 TVS 紧贴保护的连接器或器件引脚放置，缩短走线长度以降低串联阻抗和寄生电感，提高钳位效率。
• 给保护点到电源/地的回流路径提供低阻抗连接，必要时通过多根短过孔（vias）将地平面快速连接到主地层。
• 对差分信号线，若采用单个双向 TVS，可根据信号特性选择单端到地或双端跨线保护方案；注意 TVS 的结电容对差分阻抗的影响。
• 在高温或高脉冲能量环境下，评估器件的热耗散及周围元件的热影响，必要时采用散热措施或增加器件并联（需慎重评估一致性）。

七、储存与可靠性注意事项

• 储存于干燥环境，避免长时间暴露在高湿或腐蚀性气氛中；建议遵循元器件制造商的干燥包装及使用期限说明。
• 在回流焊前若器件经拆封，遵循防潮等级（若适用）的回流前烘烤要求以免出现焊接缺陷。
• 在应用环境中，常规温度范围为 -40 ℃ 至 +125 ℃；在极端温度或高重复冲击场景中，需进行系统级测试验证可靠性。

八、订购与合规

• 型号：LESD8D3.3CT5G（品牌：LRC / 乐山无线电）
• 封装：SOD-882，表面贴装
• 本型号符合 IEC 61000-4-2 与 IEC 61000-4-4 的防护等级要求，适用于需要标准级 ESD 与 EFT 防护的电子产品设计。

注：上述参数基于器件典型规格，实际设计时建议参考 LRC 的正式数据手册以获取完整的典型曲线、测试条件、封装尺寸图和详细的可靠性认证信息。