型号:

UMH9N

品牌:YANGJIE(扬杰)
封装:SOT-363
批次:26+
包装:-
重量:-
其他:
-
UMH9N 产品实物图片
UMH9N 一小时发货
描述:数字晶体管 68@5mA,5V 150mW 1.4V@10mA,0.3V 2个NPN-预偏置
库存数量
库存:
3000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.124
3000+
0.109
产品参数
属性参数值
数量2个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE)68@5mA,5V
最小输入电压(VI(on))1.4V@10mA,0.3V
最大输入电压(VI(off))300mV@100uA,5V
输出电压(VO(on))300mV@5mA,0.25mA
输入电阻13kΩ
电阻比率5.7
工作温度-55℃~+150℃

UMH9N 产品概述

一、产品简介

UMH9N 是一款由 YANGJIE(扬杰)提供的预偏置双通道 NPN 数字晶体管,封装为 SOT‑363(六引脚)。器件内部集成了偏置电阻网络,使其可直接与逻辑电平或微控制器端口连接,用于小电流开关和信号放大场合。整机功耗低、响应快,适合空间受限的表面贴装应用。

二、主要参数

  • 通道数:2 个 NPN(预偏置)
  • 集—射极击穿电压 Vceo:50 V
  • 集电极电流 Ic(最大):100 mA
  • 最大耗散功率 Pd:150 mW(注意实际使用需考虑热阻和散热条件)
  • 直流电流增益 hFE:68 (典型值 @ Ic = 5 mA,Vce = 5 V)
  • 输入触发电压 VI(on):1.4 V @ 10 mA(注:典型触发条件),可在 0.3 V 条件下工作(具体视输入电流而定)
  • 关断电压 VI(off)(最大):300 mV @ Iin = 100 μA,Vcc = 5 V
  • 输出饱和电压 VO(on):300 mV @ Ic = 5 mA;在 Ic = 0.25 mA 时亦表现良好
  • 输入电阻:13 kΩ(内部偏置电阻)
  • 电阻比率(内部分压比):5.7
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SOT‑363

三、主要特性与优势

  • 预偏置设计:内部集成基极偏置电阻,无需外部限流电阻即可与逻辑电平直接连接,简化外围电路设计。
  • 低饱和压:在小电流条件下 VO(on) 低至 300 mV,适合驱动低功耗负载或作为电平转换元件。
  • 良好增益:hFE 在 5 mA 工作点处约 68,可在小信号放大与开关场景中提供可靠增益。
  • 紧凑封装:SOT‑363 小巧,适合高密度 PCB 布局与便携设备。

四、典型应用

  • MCU/逻辑电平的小电流开关(指示灯、光耦驱动、低功率继电器前驱)
  • 电平移位与信号缓冲
  • 通用小信号放大和开关场合
  • 便携设备、消费电子、通信模块中的空间受限电路

五、使用注意与建议

  • 功率与热管理:单通道 Pd 最大为 150 mW,实际应根据 PCB 散热条件进行热降额,长时间工作或高环境温度下应限制集电极电流以避免过热。
  • 电流限制:尽管 Ic 峰值可达 100 mA,建议在常规应用中保持在安全范围内(例如 Ic ≤ 20–50 mA),以延长可靠性并控制功耗。
  • 输入驱动:内部输入电阻约 13 kΩ,电阻比率 5.7 表明内部为分压/偏置结构,直接驱动时参考 VI(on)/VI(off) 条件选择合适的驱动电平与阻抗。
  • 布局建议:将器件靠近负载放置,保证良好散热路径;输入走线尽量短,避免噪声耦合影响关断/导通阈值。
  • ESD 与焊接:SOT‑363 为小型封装,注意防静电保护,按相关回流焊曲线进行焊接,避免过热造成内部偏置失配。

六、包装与采购信息

  • 品牌:YANGJIE(扬杰)
  • 型号:UMH9N(双通道预偏置 NPN)
  • 封装:SOT‑363(适合贴片 SMT 工艺)
  • 适用客户:需要紧凑、低功耗的双通道开关或信号缓冲解决方案的电子产品制造商与设计工程师。

UMH9N 以其预偏置的便利性、低饱和压和小型封装,适用于多类小信号开关与驱动场景。设计时请结合实际工作电流、环境温度与 PCB 散热条件,合理选择器件并做好热降额与 ESD 防护。若需典型应用电路图或更多电气特性曲线,可向供应商索取完整数据手册以获得详细参数与测试条件。