型号:

BC847BW

品牌:YANGJIE(扬杰)
封装:SOT-323
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
BC847BW 产品实物图片
BC847BW 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 45V 100mA NPN
库存数量
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4999
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.077652
3000+
0.06156
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)420@2mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V

BC847BW 产品概述

一、产品简介

BC847BW 是一款小信号 NPN 双极型晶体管(BJT),由扬杰(YANGJIE)出品,采用 SOT-323(SC-70)微小封装。器件面向低电流、低功耗的开关和放大场合,具有高直流电流增益和较高的频率特性,适合便携式与空间受限电路设计。

二、主要电气参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 最大集电极电流 Ic:100 mA
  • 集射极击穿电压 Vceo:45 V
  • 最大耗散功率 Pd:200 mW(封装热限制)
  • 直流电流增益 hFE:420 @ Ic=2 mA,VCE=5 V(高增益区参考值)
  • 特征频率 fT:100 MHz(高频响应良好)
  • 集电极截止电流 Icbo:100 nA(反向漏电小)
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):约 500 mV(饱和开关状态下)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 射基极击穿电压 Vebo:6 V
  • 封装:SOT-323(小型表面贴装)

三、性能特点

  • 高增益:在低偏流(约 2 mA)情况下 hFE 高达 420,适合微弱信号放大与高增益配置。
  • 宽频带:fT ≈ 100 MHz,可用于中高频小信号放大与缓冲。
  • 低漏电:Icbo 仅 100 nA,利于低功耗与高阻态表现。
  • 小封装:SOT-323 占板面积小,适合空间受限的移动设备、传感器前端与混合信号板。
  • 温稳性好:工作温度覆盖工业级范围,适合恶劣环境应用。

四、典型应用场景

  • 小信号放大器、前置放大与传感器接口电路。
  • 逻辑电平转换、驱动中小负载、开关控制(注意功耗限制)。
  • 高频缓冲、射频前端的低噪声放大(在规定频率内)。
  • 电池供电设备、便携仪器及消费电子中作为通用开关/放大元件。

五、封装与热管理

SOT-323 为微型表贴封装,热阻相对较大,器件最大耗散功率 Pd=200 mW(常温参考),实际应用中应注意热散发:

  • 尽量减小 VCE×IC 的耗散,避免长时间接近 Pd 极限;
  • 在板级布局上增加铜箔散热面积或靠近散热层放置,以提高功率承载能力;
  • 进行热仿真或测量以确定在目标环境下的安全工作区(SOA)。

六、选型及使用注意事项

  • 虽然 Ic 最大为 100 mA,但与 VCE 和 Pd 的组合受限,持续工作时应避免同时满载;
  • 射基极反向电压 Vebo 为 6 V,切勿在应用中让基极对发射极承受过高反向电压以免损坏;
  • 在高频应用注意寄生电容与走线布局;低噪声放大器应配合合理偏置和旁路电容以发挥高 hFE 优势;
  • 若需要更高功率或更低 VCE(sat),应选择更大封装或专用功率晶体管作为替代。

总结:BC847BW 在微小封装下提供了高增益与良好的频率特性,适合对尺寸与增益有要求的通用小信号场合。选型时重点关注热耗散和工作点设计,保证在安全工作区内长期可靠运行。