YJL2304A 产品概述

一、主要规格

YJL2304A 是一款小功率 N 沟道场效应管（MOSFET），封装为 SOT-23-3L，主要电气参数如下：

• 漏源电压 Vdss：30 V
• 连续漏极电流 Id：3.6 A
• 导通电阻 RDS(on)：30 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 3.6 A
• 功耗 Pd：1 W
• 阈值电压 Vgs(th)：1.5 V
• 总栅极电荷 Qg：4.2 nC @ 10 V
• 输入电容 Ciss：390 pF
• 输出电容 Coss：67 pF
• 反向传输电容 Crss：41 pF @ 15 V
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOT-23-3L
• 数量：1 个 N 沟道，品牌：YANGJIE（扬杰）

二、特性与优点

• 低导通电阻：在 10 V 栅压下 RDS(on) 仅 30 mΩ，可在较小电压降下传输数安培电流，有利于降低导通损耗。
• 低栅极电荷与中等输入电容：Qg = 4.2 nC 与 Ciss = 390 pF 在驱动能量和开关损耗之间取得平衡，适合驱动能力有限的门极驱动器或 MCU。
• 宽工作温度：-55 ℃ 至 +150 ℃ 的结温范围适用于工业及消费类温度要求场合。
• 小型封装：SOT-23-3L 有利于紧凑 PCB 布局和空间受限的便携式设备。

三、典型应用场景

• 低压直流开关与负载开关（电源供电切换、外设电源控制）
• 移动设备和便携电源的功率开关
• 小功率升/降压转换器的同步或补偿开关（需注意开关损耗）
• LED 驱动、背光控制与保护电路
• 小电流电机驱动、电磁阀或继电器驱动（作为低侧开关）

四、设计注意事项

• 栅极驱动：规格给出的 RDS(on) 在 Vgs = 10 V 条件下测得，若采用 3.3 V 或 5 V 门极驱动，导通电阻会显著增加，应在电路仿真或试验中验证；若要求最低损耗，建议使用接近 10 V 的驱动电平或选择专为低电压驱动优化的器件。
• 开关损耗：Qg = 4.2 nC 与 Crss = 41 pF 表明在高频开关应用中会产生一定的驱动能量消耗和反向恢复相关损耗，请在驱动器功率预算中考虑这些参数。
• 热管理：器件额定耗散功率为 1 W（器件无额外散热条件）；在 PCB 设计中通过扩大铜箔面积、采用散热岛或将热流导向底层铺铜以降低结温，保证可靠工作。
• PCB 布局：建议短而宽的电流回路路径，靠近 MOSFET 的源极处安置电源地回流与旁路电容；门极驱动走线应尽量短以降低寄生电感并可在门极处并联合适阻容以控制开关斜率、防止振铃。
• 静电防护与取件：作为 MOSFET，应注意 ESD 防护，生产与装配过程避免静电击穿。

五、器件选型提示

• 若系统工作在 10–12 V 门极驱动并需在 3–4 A 范围内高效开关，YJL2304A 是合适之选。
• 若系统仅有 3.3 V 驱动且对导通损耗敏感，建议评估在该门极电压下的 RDS(on) 或选择专门的逻辑电平 MOSFET。
• 小体积、低成本、普通工业温度范围的应用中，SOT-23 封装可有效节省 PCB 空间并满足功率与热管理要求。

如需更详细的电气特性曲线（导通电阻随 Vgs 变化、转移特性、开关能量测试等）、封装尺寸图或推荐 PCB Footprint，请告知，我可进一步提供或根据工程应用给出具体布局与驱动建议。