DFE252012F-100M=P2 产品概述

一、产品简介

DFE252012F-100M=P2 为 muRata（村田）系列功率电感，标称电感值 10 µH，公差 ±20%，额定电流 950 mA，饱和电流（Isat）1.4 A，直流电阻（DCR）约 400 mΩ；封装标识为 1008，适用于高密度贴片电源场合。此器件定位为中等电流、体积受限但需一定储能能力的功率应用元件。

二、关键电气参数解读

• 电感值：10 µH ±20%（实际工作范围约 8–12 µH），公差偏大时在滤波或能量存储计算中需考虑最大偏移。
• 额定电流：950 mA，为长期工作且允许温升的持续电流上限，建议在设计时留安全裕量。
• 饱和电流（Isat）：1.4 A，超过此电流时磁芯趋向饱和，电感量会显著下降，从而影响电路工作。
• DCR：400 mΩ，较高的直流电阻会带来显著的 I·R 压降与 I^2·R 损耗；在额定电流下，电压降约 0.38 V，功耗约 0.36 W，接近 Isat 时功耗将更高（1.4 A 下约 0.56 V、0.78 W），需注意散热设计。

三、典型应用场景

• 降压/升压 DC-DC 转换器（中等功率、开关频率中低档）
• 模组电源滤波与能量储存（通信设备、便携设备主电源模块）
• EMI 滤波与输出滤波网络
• LED 驱动、传感器供电等要求体积小、功率中等的场合

四、设计与使用建议

• 电流裕度：为避免工作在磁芯接近饱和区，建议连续工作电流保持在额定电流以下，典型工程做法是取额定电流的 70–80% 作为设计值（视环境温度、散热条件而定）。
• 损耗与温升：高 DCR 会造成明显 I^2R 损耗，需在 PCB 上提供足够铜箔和散热路径，必要时并用散热孔或散热层。
• 布局：电感靠近开关器件放置，输入输出线短且粗，避免环路面积过大以降低 EMI。
• 高频特性：核心损耗与频率相关，选择开关频率前应参考完整频率响应与损耗曲线（建议下载 muRata 官方资料核对频率特性）。

五、封装与可靠性

封装 1008（小型 SMD）适合高密度安装，但物理尺寸小带来散热受限和能量承受上限，焊接时按厂方推荐回流曲线进行，避免过热影响磁性材料性能及电气参数漂移。长期可靠性与温度系数需参考厂方详细规格书。

六、选型与替代建议

在选型时权衡电感值/饱和电流/DCR 三者的平衡：若系统损耗或温升不可接受，可考虑选择 DCR 更低或 Isat 更高的同类产品；若空间极度受限，可接受更高 DCR 的情况下使用本件。订购型号：DFE252012F-100M=P2（建议向供应商确认包装形式 P2 对应的卷带/盘装信息）。

总结：DFE252012F-100M=P2 适合空间受限且对中等电流有一定需求的电源和滤波应用，但须关注其较高的 DCR 带来的能耗与热管理要求，设计时应留足裕量并结合厂方完整数据表进行最终验证。